Siliciumcarbide verwarmingselement is een elektrisch verwarmingselement op hoge temperatuur, dat is gemaakt van zeer zuiver groen siliciumcarbide en roet door verkiezeling en herkristallisatie bij hoge temperatuur. Vergeleken met andere metalen elektrische verwarmingselementen heeft het de voordelen van zuur- en alkalicorrosieweerstand, sterke oxidatieweerstand, grote oppervlaktebelastingsdichtheid, snelle temperatuurstijging, goede thermische schokbestendigheid, kleine thermische uitzettingscoëfficiënt, hoge thermische geleidbaarheid, hoge werktemperatuur, lange levensduur, wanneer geïntegreerd met een automatisch elektronisch controlesysteem, kan niet alleen een nauwkeurige constante temperatuur worden verkregen, maar kan ook een automatische temperatuurregeling worden bereikt volgens de behoeften van het productieproces.

De hardheid van de keramische kogelvrije plaat van siliciumcarbide is hoog, reikt tot hoger dan HV2600 of meer, en de kogelvrije kwaliteit bereikt het NIJ IV-niveau, dat kan worden gebruikt als de voering van kogelvrije vesten en het beschermende pantser van voertuigen, vliegtuigen en schepen. 1>

Substraat is het basismateriaal van een halfgeleiderchip, dat afhankelijk van de soortelijke weerstand kan worden onderverdeeld in geleidend type en semi-isolerend type. Halfgeleiderapparaten gemaakt van siliciumcarbidesubstraat kunnen beter voldoen aan de toepassingsvereisten van hoge temperaturen, hoge spanning en lager vermogen, de vorm is over het algemeen rond en de diameter is meestal 2 inch (50 mm), 3 inch (75 mm), 4 inch (100 mm). ), 6 inch (150 mm), 8 inch (200 mm) en andere specificaties.

Siliciumcarbide wafer, een nieuwe generatie halfgeleidermaterialen, kan worden gebruikt voor de vervaardiging van een verscheidenheid aan elektronische apparaten, zoals metaaloxide halfgeleider veldeffecttransistors (MOSFET), Schottky-dioden, fotodioden, enz.

Siliciumcarbidebak wordt na het sinteren gevormd uit zeer zuiver siliciumcarbidepoeder, als draagapparaat dat wordt gebruikt in het productieproces van halfgeleiders, zoals RTA (Rapid Thermal Annealing), PVD (Physical Vapour Deposition), ICP (Inductief gekoppeld plasmaï¼, CMP (chemische mechanisch polijsten) enzovoort.

De belangrijkste functie van het mondstuk is om de vloeistof of het gas door de injectieactie in de gewenste vorm, snelheid en richting te transformeren.

Siliciumcarbidelager is een soort hoogwaardig lager, voornamelijk samengesteld uit binnenring, buitenring en rollen, met kenmerken van hoge hardheid, slijtvastheid, lichtgewicht, hoge temperatuurbestendigheid, corrosieweerstand, oxidatieweerstand, enz., Het is geschikt voor zware werkomgevingen en gelegenheden met hoge snelheid.

Siliciumcarbide warmtewisselaarbuis en buisplaat zijn de kerncomponent van de shell-and-tube-warmtewisselaar. Zijn functie is het overbrengen van warmte tussen de vloeistof binnen en buiten de buis met verschillende temperaturen.