Siliciumcarbide verwarmingselement SiC-verwarmingsstaaf

Siliciumcarbide verwarmingselement is een elektrisch verwarmingselement op hoge temperatuur, dat is gemaakt van zeer zuiver groen siliciumcarbide en roet door verkiezeling en herkristallisatie bij hoge temperatuur. Vergeleken met andere metalen elektrische verwarmingselementen heeft het de voordelen van zuur- en alkalicorrosieweerstand, sterke oxidatieweerstand, grote oppervlaktebelastingsdichtheid, snelle temperatuurstijging, goede thermische schokbestendigheid, kleine thermische uitzettingscoëfficiënt, hoge thermische geleidbaarheid, hoge werktemperatuur, lange levensduur, wanneer geïntegreerd met een automatisch elektronisch controlesysteem, kan niet alleen een nauwkeurige constante temperatuur worden verkregen, maar kan ook een automatische temperatuurregeling worden bereikt volgens de behoeften van het productieproces.

Merk:
ATCERA
Artikelnr.:
AT-THG-BA001

Materialen
SiC
Vormen
Rod , Mechanical Parts
Toepassingen
Semiconductor , Petrochemical Industry , Metallurgy Industry

Vraag nu

Eigenschappen van Siliciumcarbide verwarmingselement

Het verwarmingselement van siliciumcarbide heeft voordelen van zuur- en alkalicorrosieweerstand, sterke oxidatieweerstand, grote oppervlaktebelastingsdichtheid, snelle verwarming, goede thermische schokbestendigheid, kleine thermische uitzettingscoëfficiënt, hoge thermische geleidbaarheid, hoge bedrijfstemperatuur, lange levensduur, enz.

1. Bestand tegen zuur- en alkalicorrosie, evenals weerstand tegen oxidatie;

2. De oppervlaktebelastingsdichtheid is groter dan die van een elektrisch verwarmingselement van metaal, en de warmtegeleiding en thermische efficiëntie zijn hoog, de temperatuurstijging is snel;

3. Goede thermische schokbestendigheid, snelle hitte- en koudebestendigheid, kleine thermische uitzettingscoëfficiënt;

4. De gebruikstemperatuur kan oplopen tot 1600 °C, zelfs zonder beschermende atmosfeer, en de continue levensduur kan meer dan 2000 uur bedragen.

Toepassingen van SiC-verwarmingselement

Als elektrische verwarmingscomponent voor verschillende soorten ovens, smeltovens, vacuümovens, moffelovens en andere verwarmingsapparatuur, wordt het verwarmingselement van siliciumcarbide veel gebruikt in de metaal-, elektronica-, chemische industrie, keramiek, glas, halfgeleiders en andere velden, om hoge temperaturen te genereren. temperatuuromgeving voor het productieproces, thermische analyse, wetenschappelijk onderzoek.

1. Metaalindustrie: warmtebehandeling van verschillende metalen, carboneren en nitreren, en sinteren van poedermetallurgie;

2. Elektronica- en halfgeleiderindustrie: sinteren van componenten zoals weerstanden, condensatoren en keramische substraten, metallisatie van substraten, warmtebehandeling van optische vezels, enz.;

3. Keramische en glasindustrie: diverse keramische sintering, glassmelten en oppervlaktebehandeling, evenals productie van keramiek en glasvezel;

4. Chemische industrie: sinteren van diverse coatingmaterialen en andere chemicaliën, verhitting van chemische reactanten, enz.;

5. Laboratoriumanalyse: testen onder hoge temperatuuromstandigheden, evenals thermische analyse.

Maattabel voor Siliciumcarbide verwarmingselement

Wij doen er alles aan om eersteklas verwarmingselementen van siliciumcarbide te leveren, afgestemd op uw exacte specificaties. Ons toegewijde team zorgt ervoor dat uw instructies nauwgezet worden opgevolgd en streeft ernaar de verwachtingen van de klant te overtreffen. Daarnaast bieden we de flexibiliteit van aangepaste formaten om aan uw unieke vereisten te voldoen.

In geval van een aangepast ontwerpverzoek moeten tekeningen, specificatievereisten en gebruiksscenario-informatie worden verstrekt.

Verzendvereisten voor aangepast ontwerp

Bewerkingstolerantie:

1. Diameter ≤50 mm: ±0,5 mm

2. Diameter 50-100 mm: ±1,5 mm

3. Diameter 100-300 mm: ±3 mm

4. Lengte ≤500 mm: ± 2 mm

5. Lengte 500-2000 mm: ± 3 mm

Technische specificaties:
Bulkdichtheid	2,5-2,8 g/cm³
Porositeit	5%-23%
Buigsterkte	50-98 MPa
Thermische geleidbaarheid	14-21W/m*â (bij 1000â)
Thermische uitzettingscoëfficiënt	4,5*10^-6/â (bij 1000â)
Maximale werktemperatuur	1380-1600â

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Single Helical

Siliciumcarbide verwarmingselement, enkele spiraal
Artikelnr.	OD (mm)	Lengte van Warmtezone (mm)	Lengte van Koude zone (mm)	Totale lengte (mm)	Verwarmingszone (cm²)	Spanning (v)	Vermogen (w)	Weerstandsbereik(±20%) ( Ω)	De zuiverheid van SiC
AT-THG-BA001	14	200	200	600	87	59	1650	2.11	99%
AT-THG-BA002	14	200	250	700	87	60	1680	2,14	99%
AT-THG-BA003	14	250	200	650	109	71	1990	2,53	99%
AT-THG-BA004	14	250	250	750	109	73	2040	2,61	99%
AT-THG-BA005	14	300	250	800	131	85	2380	3,04	99%
AT-THG-BA006	16	200	250	700	100	58	1970	1,71	99%
AT-THG-BA007	16	250	200	650	125	69	2350	2,03	99%
AT-THG-BA008	16	250	250	750	125	70	2380	2,06	99%
AT-THG-BA009	16	250	300	850	125	71	2410	2,09	99%
AT-THG-BA010	16	300	200	700	150	81	2750	2,39	99%
AT-THG-BA011	16	300	250	800	150	82	2790	2,41	99%
AT-THG-BA012	16	300	300	900	150	83	2820	2,44	99%
AT-THG-BA013	16	350	250	850	175	94	3200	2,76	99%
AT-THG-BA014	16	350	300	950	175	95	3230	2,79	99%
AT-THG-BA015	20	300	400	1100	188	84	3440	2,05	99%
AT-THG-BA016	20	350	400	1150	219	97	3980	2,36	99%
AT-THG-BA017	20	400	400	1200	251	109	4470	2,66	99%
AT-THG-BA018	20	450	400	1250	282	121	4960	2,95	99%
AT-THG-BA019	25	300	400	1100	235	84	4120	1,71	99%
AT-THG-BA020	25	300	500	1300	235	86	4210	1,76	99%
AT-THG-BA021	25	400	400	1200	314	110	5390	2,24	99%
AT-THG-BA022	25	500	400	1300	392	135	6620	2,75	99%
AT-THG-BA023	30	300	400	1100	282	79	4980	1,25	99%
AT-THG-BA024	30	300	500	1300	282	80	5040	1,27	99%
AT-THG-BA025	30	400	400	1200	376	103	6490	1,63	99%
AT-THG-BA026	30	400	500	1400	376	104	6550	1,65	99%
AT-THG-BA027	30	500	400	1300	471	127	8000	2,02	99%
AT-THG-BA028	30	600	400	1400	565	151	9510	2,4	99%
AT-THG-BA029	35	400	400	1200	439	101	7680	1,33	99%
AT-THG-BA030	35	400	500	1400	439	102	7750	1,34	99%
AT-THG-BA031	35	500	400	1300	549	124	9420	1,63	99%
AT-THG-BA032	35	500	500	1500	549	125	9500	1,64	99%
AT-THG-BA033	35	600	400	1400	659	148	11200	1,96	99%
AT-THG-BA034	35	700	400	1500	769	171	13000	2,25	99%
AT-THG-BA035	40	500	400	1300	628	116	10700	1,26	99%
AT-THG-BA036	40	500	500	1500	628	117	10800	1,27	99%
AT-THG-BA037	40	600	400	1400	753	138	12700	1,5	99%
AT-THG-BA038	40	700	400	1500	879	161	14800	1,75	99%
AT-THG-BA039	45	700	450	1600	989	149	16800	1,32	99%
AT-THG-BA040	45	800	400	1600	1130	168	19000	1,49	99%

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Double Helical

Siliciumcarbide verwarmingselement dubbel spiraalvormig
Artikelnr.	OD (mm)	Lengte van Warmtezone (mm)	Lengte van Koude zone (mm)	Totale lengte (mm)	Verwarmingszone (cm²)	Spanning (v)	Vermogen (w)	Weerstandsbereik(±20%) ( Ω)	Zuiverheid van SiC
AT-THG-BB001	16	100	150	250	50	61	940	3,96	99%
AT-THG-BB002	16	100	200	300	50	69	1060	4,49	99%
AT-THG-BB003	16	150	150	300	75	84	1290	5,47	99%
AT-THG-BB004	16	150	250	400	75	99	1520	6,45	99%
AT-THG-BB005	16	200	200	400	100	113	1740	7,34	99%
AT-THG-BB006	16	250	200	450	125	135	2080	8,76	99%
AT-THG-BB007	20	100	150	250	62	58	1110	3,03	99%
AT-THG-BB008	20	100	250	350	62	72	1380	3,76	99%
AT-THG-BB009	20	150	200	350	94	87	1670	4,53	99%
AT-THG-BB010	20	200	200	400	125	109	2090	5,68	99%
AT-THG-BB011	20	250	150	400	157	124	2380	6,46	99%
AT-THG-BB012	20	250	250	500	157	138	2650	7,19	99%
AT-THG-BB013	20	300	250	550	188	160	3070	8,34	99%
AT-THG-BB014	25	150	200	350	117	87	2000	3,78	99%
AT-THG-BB015	25	200	200	400	157	110	2530	4,78	99%
AT-THG-BB016	25	200	300	500	157	121	2780	5,27	99%
AT-THG-BB017	25	300	300	600	235	167	3840	7,26	99%
AT-THG-BB018	25	300	400	700	235	179	4120	7,78	99%
AT-THG-BB019	25	350	300	650	274	191	4390	8,31	99%
AT-THG-BB020	25	400	300	700	314	214	4920	9,31	99%
AT-THG-BB021	30	200	200	400	188	190	2790	2,9	99%
AT-THG-BB022	30	250	200	450	235	111	3440	3,58	99%
AT-THG-BB023	30	300	300	600	282	132	4090	4,26	99%
AT-THG-BB024	30	350	350	700	329	153	4740	4,94	99%
AT-THG-BB025	30	400	400	800	376	174	5390	5,62	99%
AT-THG-BB026	30	450	350	800	424	194	6010	6,26	99%
AT-THG-BB027	30	500	300	800	471	214	6630	6,91	99%
AT-THG-BB028	35	200	200	400	219	89	3260	2,43	99%
AT-THG-BB029	35	250	200	450	274	109	3990	2,98	99%
AT-THG-BB030	35	300	300	600	329	130	4760	3,55	99%
AT-THG-BB031	35	400	300	700	439	171	6260	4,67	99%
AT-THG-BB032	35	450	350	800	494	191	6990	5,22	99%
AT-THG-BB033	35	500	300	800	549	211	7720	5,77	99%
AT-THG-BB034	40	200	200	400	251	86	3660	2,02	99%
AT-THG-BB035	40	250	200	450	314	106	4510	2,49	99%
AT-THG-BB036	40	300	300	600	376	127	5400	2,99	99%
AT-THG-BB037	40	350	300	650	439	147	6250	3,46	99%
AT-THG-BB038	40	400	300	700	502	167	7100	3,93	99%
AT-THG-BB039	40	400	400	800	502	167	7100	3,93	99%
AT-THG-BB040	40	450	300	750	565	186	7910	4,37	99%
AT-THG-BB041	40	450	350	800	565	187	7950	4,4	99%
AT-THG-BB042	40	500	300	800	628	206	8760	4,84	99%

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Rod

Siliciumcarbide verwarmingselementstaaf
Artikelnr.	OD (mm)	Lengte van Warmtezone (mm)	Lengte van Koude zone (mm)	Weerstandsbereik ( Ω)	De zuiverheid van SiC
AT-THG-BC001	14	200	250	1,2-1,3	99%
AT-THG-BC002	14	250	250	1,5-3,0	99%
AT-THG-BC003	14	300	250	1,8-3,5	99%
AT-THG-BC004	14	400	350	2,3-4,7	99%
AT-THG-BC005	14	500	350	2,9-5,9	99%
AT-THG-BC006	16	200	200	0,9-1,9	99%
AT-THG-BC007	16	250	200	1,2-2,4	99%
AT-THG-BC008	16	300	300	1,4-2,8	99%
AT-THG-BC009	18	250	250	0,9-1,8	99%
AT-THG-BC010	18	300	350	1,1-2,2	99%
AT-THG-BC011	18	400	250	1,4-2,9	99%
AT-THG-BC012	18	500	350	1,8-3,6	99%
AT-THG-BC013	20	200	200	0,6-1,2	99%
AT-THG-BC014	20	250	250	0,7-1,4	99%
AT-THG-BC015	20	300	300	0,8-1,6	99%
AT-THG-BC016	20	400	350	1,1-2,2	99%
AT-THG-BC017	20	500	400	1,4-2,8	99%
AT-THG-BC018	20	600	350	1,5-3,0	99%
AT-THG-BC019	25	300	400	0,6-1,3	99%
AT-THG-BC020	25	400	400	0,8-1,7	99%
AT-THG-BC021	25	500	400	1,1-2,2	99%
AT-THG-BC022	25	600	500	1,3-2,6	99%
AT-THG-BC023	25	800	450	1,7-3,4	99%
AT-THG-BC024	25	900	400	1,9-3,8	99%
AT-THG-BC025	25	1000	500	2,2-4,5	99%
AT-THG-BC026	30	400	400	0,5-0,9	99%
AT-THG-BC027	30	500	400	0,6-1,2	99%
AT-THG-BC028	30	1000	500	1,1-2,2	99%
AT-THG-BC029	30	1200	500	1,3-2,6	99%
AT-THG-BC030	30	1300	500	1,4-2,9	99%
AT-THG-BC031	30	1500	250	1,6-3,4	99%
AT-THG-BC032	30	1500	300	1,6-3,4	99%
AT-THG-BC033	30	1500	600	1,6-3,4	99%
AT-THG-BC034	30	2000	650	2,2-4,4	99%
AT-THG-BC035	35	400	400	0,4-0,8	99%
AT-THG-BC036	35	500	400	0,5-1,0	99%
AT-THG-BC037	35	1000	500	1,0-2,0	99%
AT-THG-BC038	35	1200	500	1,1-2,2	99%
AT-THG-BC039	35	1500	500	1,4-2,8	99%
AT-THG-BC040	40	400	400	0,3-0,7	99%
AT-THG-BC041	40	1000	500	0,8-1,7	99%
AT-THG-BC042	40	1500	500	1,3-2,6	99%
AT-THG-BC043	40	2000	650	1,7-3,4	99%
AT-THG-BC044	40	2400	700	2,0-4,0	99%
AT-THG-BC045	40	2600	850	2,2-4,4	99%

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Dumbbell

Siliciumcarbide verwarmingselement-halter
Artikelnr.	Kleine buitendiameter (mm)	Lengte van Warmtezone (mm)	Lengte van Koude zone (mm)	Buitendiameter grote zijde (mm)	Weerstandsbereik ( Ω)	Zuiverheid van SiC
AT-THG-BD001	8	180	60	14	2,6-5,2	99%
AT-THG-BD002	8	180	150	14	2,6-5,2	99%
AT-THG-BD003	8	150	150	14	2,2-4,5	99%
AT-THG-BD004	8	180	180	14	2,6-5,2	99%
AT-THG-BD005	8	200	150	14	2,9-5,8	99%
AT-THG-BD006	12	150	200	20	1,1-2,2	99%
AT-THG-BD007	12	200	200	20	1,4-2,9	99%
AT-THG-BD008	12	250	200	20	1,8-3,8	99%
AT-THG-BD009	14	180	150	22	1,3-2,3	99%
AT-THG-BD010	14	150	250	22	0,9-1,8	99%
AT-THG-BD011	14	200	250	22	1,2-2,3	99%
AT-THG-BD012	14	250	250	22	1,5-3,0	99%
AT-THG-BD013	14	300	250	22	1,8-3,5	99%
AT-THG-BD014	14	400	350	22	2,3-4,7	99%
AT-THG-BD015	18	300	250	28	1,1-2,2	99%
AT-THG-BD016	18	300	350	28	1,1-2,2	99%
AT-THG-BD017	18	400	250	28	1,4-2,9	99%
AT-THG-BD018	18	500	350	28	1,8-3,6	99%
AT-THG-BD019	18	600	350	28	2,1-4,3	99%
AT-THG-BD020	18	400	400	28	1,4-2,9	99%
AT-THG-BD021	25	400	400	38	0,8-1,7	99%
AT-THG-BD022	25	600	500	38	1,3-2,6	99%
AT-THG-BD023	25	800	450	38	1,7-3,4	99%
AT-THG-BD024	25	500	400	45	0,6-1,2	99%
AT-THG-BD025	30	1000	500	45	1,1-2,2	99%
AT-THG-BD026	30	1200	500	45	1,3-2,6	99%
AT-THG-BD027	40	1000	500	56	0,8-1,7	99%
AT-THG-BD028	40	1500	500	56	1,3-2,6	99%
AT-THG-BD029	40	2400	700	56	2,0-4,0	99%
AT-THG-BD030	40	2600	850	56	2,2-4,4	99%

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Type W

Siliciumcarbide verwarmingselement Type W
Artikelnr.	Hittezone OD (mm)	Lengte van Warmtezone (mm)	Lengte van Koude zone (mm)	Middenafstand (mm)	Brugbuitendiameter (mm)	Totale lengte (mm)	Zuiverheid van SiC
AT-THG-BF001	14	200	250	40	14	54	99%
AT-THG-BF002	14	250	300	50	14	64	99%
AT-THG-BF003	14	300	350	60	14	74	99%
AT-THG-BF004	16	200	250	40	16	56	99%
AT-THG-BF005	16	250	300	50	16	66	99%
AT-THG-BF006	16	300	350	60	16	76	99%
AT-THG-BF007	18	300	350	60	18	78	99%
AT-THG-BF008	18	400	400	70	18	88	99%
AT-THG-BF009	18	500	450	75	18	93	99%
AT-THG-BF010	20	250	300	50	20	70	99%
AT-THG-BF011	20	300	350	60	20	80	99%
AT-THG-BF012	20	400	400	70	20	90	99%
AT-THG-BF013	25	400	400	70	25	95	99%
AT-THG-BF014	25	500	450	75	25	100	99%
AT-THG-BF015	25	600	500	80	25	105	99%
AT-THG-BF016	30	600	400	70	30	100	99%
AT-THG-BF017	30	700	450	75	30	105	99%
AT-THG-BF018	30	800	500	80	30	110	99%

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Type U

Siliciumcarbide verwarmingselement Type U
Artikelnr.	Warmtezone OD (mm)	Lengte van Warmtezone (mm)	Lengte van Koude zone (mm)	Middenafstand (mm)	Brugbuitendiameter (mm)	Totale lengte (mm)	Weerstandsbereik ( Ω)	Zuiverheid van SiC
AT-THG-BU001	14	200	250	40	14	54	2,4-4,6	99%
AT-THG-BU002	14	250	300	50	14	64	3,0-6,0	99%
AT-THG-BU003	14	300	350	60	14	74	3,6-7,0	99%
AT-THG-BU004	16	200	250	40	16	56	1,4-2,8	99%
AT-THG-BU005	16	250	300	50	16	66	1,8-3,6	99%
AT-THG-BU006	16	300	350	60	16	76	2,0-5,0	99%
AT-THG-BU007	18	300	350	60	18	78	2,0-5,0	99%
AT-THG-BU008	18	400	400	70	18	88	2,8-5,8	99%
AT-THG-BU009	18	500	450	75	18	93	3,6-7,2	99%
AT-THG-BU010	20	250	300	50	20	70	1,8-3,6	99%
AT-THG-BU011	20	300	350	60	20	80	2,0-5,0	99%
AT-THG-BU012	20	400	400	70	20	90	2,8-5,8	99%
AT-THG-BU013	25	400	400	70	25	95	1,6-3,4	99%
AT-THG-BU014	25	500	450	75	25	100	2,2-4,4	99%
AT-THG-BU015	25	600	500	80	25	105	2,6-5,2	99%
AT-THG-BU016	30	600	400	70	30	100	1,4-2,8	99%
AT-THG-BU017	30	700	450	75	30	105	1,6-3,2	99%
AT-THG-BU018	30	800	500	80	30	110	1,8-3,6	99%

Technische gegevens van Silicium Carbide Materialen

Artikel		Eenheid	Indexgegevens
Artikel		Eenheid	Reactie-gesinterd SiC (SiSiC)	Siliciumnitride gebonden met SiC (NBSiC)	Gesinterd SiCn zonder druk (SSiC)
SiC-inhoud		%	85	80	99
Gratis siliciuminhoud		%	15	0	0
Max. Servicetemp.		â	1380	1550	1600
Dichtheid		g/cm3	3,02	2,72	3.1
Porositeit		%	0	12	0
Buigsterkte	20â	Mpa	250	160	380
Buigsterkte	1200â	Mpa	280	180	400
Elasticiteitsmodulus	20â	Gpa	330	220	420
Elasticiteitsmodulus	1200â	Gpa	300	/	/
Thermische geleidbaarheid	1200â	W/m.k	45	15	74
Thermische uitzettingscoëfficiënt		K-1×10-6	4,5	5	4.1
Vickers-hardheid	HV	kg/mm2	2500	2500	2800

*Dit diagram illustreert de standaardkenmerken van de siliciumcarbidematerialen die gewoonlijk worden gebruikt bij de productie van onze SiC-producten en -onderdelen. Houd er rekening mee dat de kenmerken van op maat gemaakte siliciumcarbideproducten en -onderdelen kunnen variëren, afhankelijk van de specifieke processen die daarbij betrokken zijn.

Gebruiksinstructies

1. Selecteer het juiste type en de juiste parameters van siliciumcarbide verwarmingselementen volgens de behoeften van de toepassing om ervoor te zorgen dat aan de installatiegrootte, verwarmingstemperatuur en andere vereisten wordt voldaan;

2. Vermijd tijdens transport en installatie hevige trillingen en schokken, om de SiC-staaf niet te breken. Tijdens de installatie moet de SiC-staaf vrij kunnen draaien en ervoor zorgen dat de circuitaansluiting aan het koude uiteinde stevig is en er niet af valt;

3. Nieuwe ovens of elektrische ovens die lange tijd niet worden gebruikt, moeten vóór gebruik worden voorverwarmd, en het gebruik van oude staven of andere warmtebronnen wordt aanbevolen;

4. Wanneer de stroom wordt ingeschakeld, wordt de initiële spanning geregeld op ongeveer 50% van de nominale bedrijfsspanning en stijgt vervolgens geleidelijk naar de nominale spanning na stabiliteit, waardoor het risico op breuk als gevolg van scherpe temperatuurstijging van de siliciumcarbidestaaf wordt verminderd;

5. Gebruik niet in een omgeving boven de nominale temperatuur en vermijd tijdens gebruik contact met schadelijke gassen met een hoge concentratie;

6. Observeer of de aflezing van de ampèremeter, voltmeter en temperatuurmeter op elk moment normaal is, controleer regelmatig of het koude uiteinde los zit, of de rode hitte van het verwarmingsgedeelte van de siliciumcarbide staaf uniform is, of er een fenomeen is van oxidatiezwart worden, en tijdig abnormale verwarmingselementen van siliciumcarbide vervangen;

7. Bij de opslag van siliciumcarbidestaven moet vocht worden vermeden, om niet te ontleden of van het koude uiteinde van de aluminiumlaag te vallen.

Waardevolle informatie

SiC verwarmingselementverpakking

SiC-verwarmingselementen worden zorgvuldig verpakt in geschikte containers om mogelijke schade te voorkomen.

Maatwerk voordelen

1. Analyseer, afhankelijk van uw toepassingsscenario, de behoeften, kies het juiste materiaal en verwerkingsplan.

2. Professioneel team, snelle reactie, kan binnen 24 uur na bevestiging van de vraag oplossingen en offertes bieden.

3. Flexibel mechanisme voor zakelijke samenwerking, ondersteunt ten minste één stuk kwantiteitsaanpassing.

4. Lever snel monsters en testrapporten om te bevestigen dat het product aan uw behoeften voldoet.

5. Geef suggesties voor productgebruik en onderhoud om uw gebruikskosten te verlagen.

Vraag een gratis offerte aan

Gerelateerde blog

Chemisch-mechanisch polijsten van AlN-substraat: de belangrijkste manier om microscheurtjes en ondergrondse schade te overwinnen

Op het gebied van micro-elektronische verpakkingen wordt aluminiumnitride-keramiek geleidelijk het voorkeursmateriaal voor hoogwaardige chipskoelsubstraten vanwege hun uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische sterkte en elektrische eigenschappen. De hoge hardheid en hoge brosheid ervan kunnen tijdens de verwerking echter gemakkelijk microscheurtjes aan het oppervlak en beschadigingen ond...

Lees meer

Onderzoek naar de thermische geleidbaarheid van aluminiumnitridesubstraat en analyse van de invloed van zuurstofverontreiniging

Lange tijd hebben de meeste substraatmaterialen van hybride geïntegreerde schakelingen met hoog vermogen Al2O3- en BeO-keramiek gebruikt, maar de thermische geleidbaarheid van het Al2O3-substraat is laag en de thermische uitzettingscoëfficiënt komt niet goed overeen met die van Si. Hoewel de uitgebreide prestaties van BeO uitstekend zijn, beperken de hoge productiekosten en de zeer giftige tekortk...

Lees meer

Evolutie van keramische substraatmaterialen: doorbraken van aluminiumoxide tot aluminiumnitride en siliciumnitride

In de huidige snel veranderende elektronica-industrie, waarbij keramische substraatmaterialen een belangrijke basis vormen voor de ondersteuning van hoogwaardige elektronische apparaten, zijn de prestaties en kenmerken ervan rechtstreeks van invloed op de algehele prestaties en betrouwbaarheid van elektronische producten. Van het vroege aluminiumoxide-keramiek tot het latere aluminiumnitride, sili...

Lees meer

De toepasbaarheid van aluminiumnitridesubstraat als verpakkingsmateriaal voor het verbeteren van de warmteafvoer in elektrische apparaten

Met de snelle ontwikkeling van elektronische technologie worden de alomvattende prestaties van elektronische chips met de dag verbeterd, maar de totale omvang neemt af. Deze trend brengt aanzienlijke prestatieverbeteringen met zich mee, maar brengt ook een serieuze uitdaging met zich mee: een dramatische toename van de warmtestroom. Voor elektronische apparaten kan zelfs een kleine temperatuurstij...

Lees meer

Verbetering van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat

Op het gebied van geavanceerde keramische materialen heeft siliciumnitride (Si3N4) veel aandacht getrokken vanwege zijn uitstekende mechanische sterkte, chemische stabiliteit en hoge temperatuureigenschappen. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride-keramiek is echter, als een van de sleutelfactoren die de brede toepassing ervan beïnvloeden, een belangrijk onderwerp in materiaalwetenschapp...

Lees meer

Onderzoek naar het roostertrillingsmechanisme en de sinterassistentstrategie van siliciumnitridesubstraten

In geavanceerde technologieën zoals hoogwaardige elektronische verpakkingen, ruimtevaart en energieconversie staan siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen hoog aangeschreven vanwege hun uitstekende mechanische eigenschappen, chemische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride, als een van de belangrijkste factoren die de brede toepassing ...

Lees meer

Optimalisatie van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat

Bij het onderzoeken van siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen als kern van een hoogwaardige oplossing voor thermisch beheer, is ons begrip van hun warmteoverdrachtsmechanismen van cruciaal belang. Het is bekend dat het belangrijkste warmteoverdrachtsmechanisme van siliciumnitride berust op roostervibratie, een proces dat warmte overdraagt via gekwantiseerde hete ladingsdragers die fononen...

Lees meer

Toepassingspotentieel van siliciumnitridesubstraat in het warmtedissipatieveld van halfgeleiderapparaten

Nadat we het intelligente informatietijdperk zijn binnengegaan, hebben halfgeleiderapparaten ons leven snel in beslag genomen. Omdat de door het werkstuk gegenereerde warmte een sleutelfactor is die het falen van halfgeleiderapparaten veroorzaakt, is het, om veel problemen veroorzaakt door defecten aan het apparaat te voorkomen en de effectieve en veilige werking ervan op lange termijn te garander...

Lees meer

Optimaliseer sinteradditieven om de prestaties van AlN-substraat te verbeteren

In praktische toepassingen moeten aluminiumnitridesubstraten, naast een hoge thermische geleidbaarheid en hoge elektrische isolatie-eigenschappen, op veel gebieden ook een hoge buigsterkte hebben. Momenteel is de driepuntsbuigsterkte van aluminiumnitride dat op de markt in omloop is gewoonlijk 400 ~ 500 MPa, wat de promotie en toepassing van keramische substraten van aluminiumnitride ernstig beper...

Lees meer

Fabricagetechnologie van dikke-filmweerstanden op AlN-substraat

Met de voortdurende vooruitgang van de micro-elektronische verpakkingstechnologie zijn de kracht en de integratie van elektronische componenten aanzienlijk toegenomen, wat heeft geleid tot een aanzienlijke toename van de warmteopwekking per volume-eenheid, waardoor strengere eisen zijn gesteld aan de efficiëntie van de warmteafvoer (dat wil zeggen , de warmtegeleidingsprestaties) van de nieuwe gen...

Lees meer

Gerelateerde producten

Siliciumcarbide pompas SiC keramische as

Siliciumcarbide keramische staaf

Kwarts optische vezelvoorvorm voor het trekken van optische vezels

Magnesia gestabiliseerde keramische klep van zirkoniumoxide

Siliciumcarbide keramische kegelvoering

Aluminiumoxide keramische hydrocycloonvoering

Berylliumoxide keramisch substraat BeO-substraat

Siliciumnitride keramische sorteerschijf voor straalmolen

Veelgestelde vragen

Levert u de materialen die niet op uw website staan?

Hoewel onze primaire focus ligt op geavanceerde keramische materialen zoals aluminiumoxide, zirkoniumoxide, siliciumcarbide, siliciumnitride, aluminiumnitride en kwartskeramiek, onderzoeken we altijd nieuwe materialen en technologieën. Als u een specifieke materiaalbehoefte heeft, neem dan contact met ons op. Wij zullen ons best doen om aan uw behoeften te voldoen of geschikte partners te vinden.

Kunt u helpen bij de materiaalkeuze en het ontwerp van keramische producten?

Absoluut. Ons technisch team beschikt over diepgaande kennis van keramische materialen en uitgebreide ervaring in productontwerp. Wij geven u graag materiaalkeuzeadvies en productontwerpondersteuning om optimale prestaties van uw producten te garanderen.

Heeft u een minimale bestelwaarde?

Wij hanteren geen vaste minimale bestelwaarde. We richten ons altijd op het voldoen aan de behoeften van onze klanten en streven ernaar om hoogwaardige service en producten te leveren, ongeacht de ordergrootte.

Welke diensten biedt u naast keramische producten?

Naast keramische producten bieden wij ook een reeks aanvullende diensten aan, waaronder maar niet beperkt tot: op maat gemaakte keramische verwerkingsdiensten op basis van uw behoeften, waarbij gebruik wordt gemaakt van door u zelf geproduceerde plano's of halfafgewerkte plano's; Als u geïnteresseerd bent in uitbestede keramische verpakkings- en metallisatiediensten, neem dan contact met ons op voor verdere discussie. We streven er altijd naar om u een totaaloplossing te bieden die aan uw verschillende behoeften voldoet.

Biedt u internationale verzenddiensten aan?

Ja, dat doen we. Waar ter wereld u zich ook bevindt, wij kunnen de veilige en tijdige levering van uw bestelling garanderen.

Alle FAQ\'s

Stuur uw aanvraag

Neem contact met ons op

Neem contact met ons op

Looking for Video?

Kantooruren

Maandag tot en met vrijdag: 9:00 - 12:00 uur, 14:00 - 17:30 uur

Houd er rekening mee dat onze kantooruren gebaseerd zijn op Beijing Time, wat acht uur voorloopt op Greenwich Mean Time (GMT). Wij stellen uw begrip en medewerking bij het dienovereenkomstig plannen van uw vragen en vergaderingen op prijs. Voor dringende zaken of vragen buiten onze reguliere openingstijden kunt u contact met ons opnemen via e-mail. Wij nemen dan zo snel mogelijk contact met u op. Bedankt voor uw zaken en we kijken ernaar uit u van dienst te zijn.

Thuis

Producten

contact