Silicon carbide cantilever paddle
Silicon carbide cantilever paddle
Silicon carbide cantilever paddle
Silicon carbide cantilever paddle
Silicon carbide cantilever paddle

Siliciumcarbide cantileverpeddel SiC-peddel

De siliciumcarbide cantilever-peddel is een belangrijk onderdeel van de productieapparatuur voor halfgeleiderwafels en fotovoltaïsche cellen en wordt gebruikt om de wafelboot (of bootbeugel) met de halfgeleiderwafel of siliciumwafel op zonne-energie over te brengen naar de diffusieoven voor coatingbehandeling.

  • Merk:

    ATCERA
  • Artikelnr.:

    AT-THG-XBJ
  • Materialen

    SiC
  • Vormen

    Mechanical Parts
  • Toepassingen

    Semiconductor , Photovoltaic Cell Industry
Silicon carbide cantilever paddle

Eigenschappen van Siliciumcarbide cantileverpeddel

De cantileverpeddel van siliciumcarbide heeft een hoge temperatuurbestendigheid, hoge buigsterkte, goede thermische schokbestendigheid, goede thermische stabiliteit, hoog draagvermogen bij hoge temperaturen, sterke oxidatieweerstand, zonder druppel onzuiverheden.

1. De cantileverpeddel van siliciumcarbide heeft een hoge temperatuurbestendigheid, de maximale gebruikstemperatuur kan oplopen tot 1600 ° C, het heeft ook een goede thermische schokbestendigheid, een levensduur van meer dan 5 jaar;

2. De cantileverpeddel van siliciumcarbide heeft een laag gewicht, een hoge sterkte en een hoog draagvermogen bij hoge temperaturen. Het kan de grootte en het gewicht van het laadsysteem verminderen om te voldoen aan de behoeften van een hogere output voor de productie van één batch;

3. De thermische uitzettingscoëfficiënt van siliciumcarbide cantilever-peddels is zeer klein, vergelijkbaar met de LPCVD-coating, wanneer toegepast op LPCVD, en kan daarom de onderhouds- en reinigingscyclus aanzienlijk verlengen.

Applications of SiC Cantilever Paddle

Toepassingen van SiC cantileverpeddel

De cantilever-peddel van siliciumcarbide is een belangrijk onderdeel van de productieapparatuur voor fotovoltaïsche cellen en halfgeleiderwafels, voor het dragen en transporteren van siliciumwafels en halfgeleiderwafels op zonne-energie in diffusieovens bij hoge temperaturen (1000-1300 ºC).

1. Industrie voor de productie van fotovoltaïsche cellen

2. Industrie van halfgeleiderwafels

Aangepast ontwerp voor SiC cantileverpeddel

Wij doen er alles aan om optimale cantilever-peddels van siliciumcarbide te leveren, afgestemd op uw exacte specificaties. Ons toegewijde team zorgt ervoor dat uw instructies nauwgezet worden opgevolgd en streeft ernaar de verwachtingen van de klant te overtreffen. Daarnaast bieden we de flexibiliteit van aangepaste formaten om aan uw unieke vereisten te voldoen.

De belangrijkste specificaties (lengte) zijn 2378 mm, 2550 mm, 2660 mm, 3560 mm, 3580 mm, 3750 mm. Geef tekening- en parametervereisten op als er een aangepaste vraag is.

Bewerkingstolerantie:
Lengte: ±3 mm

Customized Design for SiC Cantilever Paddle

Technische gegevens van Silicium Carbide Materialen

Artikel Eenheid Indexgegevens
Reactie-gesinterd SiC
(SiSiC)
Siliciumnitride gebonden met SiC
(NBSiC)
Gesinterd SiCn zonder druk
(SSiC)
SiC-inhoud % 85 80 99
Gratis siliciuminhoud % 15 0 0
Max. Servicetemp. â 1380 1550 1600
Dichtheid g/cm3 3,02 2,72 3.1
Porositeit % 0 12 0
Buigsterkte 20â Mpa 250 160 380
1200â Mpa 280 180 400
Elasticiteitsmodulus 20â Gpa 330 220 420
1200â Gpa 300 / /
Thermische geleidbaarheid 1200â W/m.k 45 15 74
Thermische uitzettingscoëfficiënt K-1×10-6 4,5 5 4.1
Vickers-hardheid HV kg/mm2 2500 2500 2800

*Dit diagram illustreert de standaardkenmerken van de siliciumcarbidematerialen die gewoonlijk worden gebruikt bij de productie van onze SiC-producten en -onderdelen. Houd er rekening mee dat de kenmerken van op maat gemaakte siliciumcarbideproducten en -onderdelen kunnen variëren, afhankelijk van de specifieke processen die daarbij betrokken zijn.

Gebruiksinstructies

1. Wanneer u de cantileverpeddel van siliciumcarbide installeert, moet u ervoor zorgen dat de positie en hoek correct zijn en dat de bewerking moet worden uitgevoerd in overeenstemming met de gespecificeerde procedures. Tijdens het installatie- en gebruiksproces moeten trillingen, gewelddadige schokken en scherpe temperatuurveranderingen worden vermeden;
2. De cantileverpeddel van siliciumcarbide moet regelmatig worden gereinigd en gesmeerd, kan geschikte reinigings- en smeermiddelen gebruiken en controleert regelmatig de status en prestaties ervan, en behandelt de problemen tijdig.

Waardevolle informatie

Silicon Carbide Cantilever Paddle Packing

Siliconencarbide cantilever-peddelverpakking

De cantileverpeddels van siliciumcarbide worden zorgvuldig verpakt in de juiste containers om mogelijke schade te voorkomen.

Maatwerk voordelen
Maatwerk voordelen

1. Analyseer, afhankelijk van uw toepassingsscenario, de behoeften, kies het juiste materiaal en verwerkingsplan.

2. Professioneel team, snelle reactie, kan binnen 24 uur na bevestiging van de vraag oplossingen en offertes bieden.

3. Flexibel mechanisme voor zakelijke samenwerking, ondersteunt ten minste één stuk kwantiteitsaanpassing.

4. Lever snel monsters en testrapporten om te bevestigen dat het product aan uw behoeften voldoet.

5. Geef suggesties voor productgebruik en onderhoud om uw gebruikskosten te verlagen.

Gerelateerde blog
Chemisch-mechanisch polijsten van AlN-substraat: de belangrijkste manier om microscheurtjes en ondergrondse schade te overwinnen
Op het gebied van micro-elektronische verpakkingen wordt aluminiumnitride-keramiek geleidelijk het voorkeursmateriaal voor hoogwaardige chipskoelsubstraten vanwege hun uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische sterkte en elektrische eigenschappen. De hoge hardheid en hoge brosheid ervan kunnen tijdens de verwerking echter gemakkelijk microscheurtjes aan het oppervlak en beschadigingen ond...
Onderzoek naar de thermische geleidbaarheid van aluminiumnitridesubstraat en analyse van de invloed van zuurstofverontreiniging
Lange tijd hebben de meeste substraatmaterialen van hybride geïntegreerde schakelingen met hoog vermogen Al2O3- en BeO-keramiek gebruikt, maar de thermische geleidbaarheid van het Al2O3-substraat is laag en de thermische uitzettingscoëfficiënt komt niet goed overeen met die van Si. Hoewel de uitgebreide prestaties van BeO uitstekend zijn, beperken de hoge productiekosten en de zeer giftige tekortk...
Evolutie van keramische substraatmaterialen: doorbraken van aluminiumoxide tot aluminiumnitride en siliciumnitride
In de huidige snel veranderende elektronica-industrie, waarbij keramische substraatmaterialen een belangrijke basis vormen voor de ondersteuning van hoogwaardige elektronische apparaten, zijn de prestaties en kenmerken ervan rechtstreeks van invloed op de algehele prestaties en betrouwbaarheid van elektronische producten. Van het vroege aluminiumoxide-keramiek tot het latere aluminiumnitride, sili...
De toepasbaarheid van aluminiumnitridesubstraat als verpakkingsmateriaal voor het verbeteren van de warmteafvoer in elektrische apparaten
Met de snelle ontwikkeling van elektronische technologie worden de alomvattende prestaties van elektronische chips met de dag verbeterd, maar de totale omvang neemt af. Deze trend brengt aanzienlijke prestatieverbeteringen met zich mee, maar brengt ook een serieuze uitdaging met zich mee: een dramatische toename van de warmtestroom. Voor elektronische apparaten kan zelfs een kleine temperatuurstij...
Verbetering van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat
Op het gebied van geavanceerde keramische materialen heeft siliciumnitride (Si3N4) veel aandacht getrokken vanwege zijn uitstekende mechanische sterkte, chemische stabiliteit en hoge temperatuureigenschappen. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride-keramiek is echter, als een van de sleutelfactoren die de brede toepassing ervan beïnvloeden, een belangrijk onderwerp in materiaalwetenschapp...
Onderzoek naar het roostertrillingsmechanisme en de sinterassistentstrategie van siliciumnitridesubstraten
In geavanceerde technologieën zoals hoogwaardige elektronische verpakkingen, ruimtevaart en energieconversie staan ​​siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen hoog aangeschreven vanwege hun uitstekende mechanische eigenschappen, chemische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride, als een van de belangrijkste factoren die de brede toepassing ...
Optimalisatie van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat
Bij het onderzoeken van siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen als kern van een hoogwaardige oplossing voor thermisch beheer, is ons begrip van hun warmteoverdrachtsmechanismen van cruciaal belang. Het is bekend dat het belangrijkste warmteoverdrachtsmechanisme van siliciumnitride berust op roostervibratie, een proces dat warmte overdraagt ​​via gekwantiseerde hete ladingsdragers die fononen...
Toepassingspotentieel van siliciumnitridesubstraat in het warmtedissipatieveld van halfgeleiderapparaten
Nadat we het intelligente informatietijdperk zijn binnengegaan, hebben halfgeleiderapparaten ons leven snel in beslag genomen. Omdat de door het werkstuk gegenereerde warmte een sleutelfactor is die het falen van halfgeleiderapparaten veroorzaakt, is het, om veel problemen veroorzaakt door defecten aan het apparaat te voorkomen en de effectieve en veilige werking ervan op lange termijn te garander...
Optimaliseer sinteradditieven om de prestaties van AlN-substraat te verbeteren
In praktische toepassingen moeten aluminiumnitridesubstraten, naast een hoge thermische geleidbaarheid en hoge elektrische isolatie-eigenschappen, op veel gebieden ook een hoge buigsterkte hebben. Momenteel is de driepuntsbuigsterkte van aluminiumnitride dat op de markt in omloop is gewoonlijk 400 ~ 500 MPa, wat de promotie en toepassing van keramische substraten van aluminiumnitride ernstig beper...
Fabricagetechnologie van dikke-filmweerstanden op AlN-substraat
Met de voortdurende vooruitgang van de micro-elektronische verpakkingstechnologie zijn de kracht en de integratie van elektronische componenten aanzienlijk toegenomen, wat heeft geleid tot een aanzienlijke toename van de warmteopwekking per volume-eenheid, waardoor strengere eisen zijn gesteld aan de efficiëntie van de warmteafvoer (dat wil zeggen , de warmtegeleidingsprestaties) van de nieuwe gen...

Gerelateerde producten

Veelgestelde vragen

Hoewel onze primaire focus ligt op geavanceerde keramische materialen zoals aluminiumoxide, zirkoniumoxide, siliciumcarbide, siliciumnitride, aluminiumnitride en kwartskeramiek, onderzoeken we altijd nieuwe materialen en technologieën. Als u een specifieke materiaalbehoefte heeft, neem dan contact met ons op. Wij zullen ons best doen om aan uw behoeften te voldoen of geschikte partners te vinden.

Absoluut. Ons technisch team beschikt over diepgaande kennis van keramische materialen en uitgebreide ervaring in productontwerp. Wij geven u graag materiaalkeuzeadvies en productontwerpondersteuning om optimale prestaties van uw producten te garanderen.

Wij hanteren geen vaste minimale bestelwaarde. We richten ons altijd op het voldoen aan de behoeften van onze klanten en streven ernaar om hoogwaardige service en producten te leveren, ongeacht de ordergrootte.

Naast keramische producten bieden wij ook een reeks aanvullende diensten aan, waaronder maar niet beperkt tot: op maat gemaakte keramische verwerkingsdiensten op basis van uw behoeften, waarbij gebruik wordt gemaakt van door u zelf geproduceerde plano's of halfafgewerkte plano's; Als u geïnteresseerd bent in uitbestede keramische verpakkings- en metallisatiediensten, neem dan contact met ons op voor verdere discussie. We streven er altijd naar om u een totaaloplossing te bieden die aan uw verschillende behoeften voldoet.

Ja, dat doen we. Waar ter wereld u zich ook bevindt, wij kunnen de veilige en tijdige levering van uw bestelling garanderen.

Stuur uw aanvraag

Uploaden
* File ONLY PDF/JPG./PNG. Available.
Submit Now

Neem contact met ons op

Neem contact met ons op
Vul dan onderstaand formulier zo goed mogelijk in. En maak je geen zorgen over de details.
Indienen
Looking for Video?
Neem contact met ons op #
19311583352

Kantooruren

  • Maandag tot en met vrijdag: 9:00 - 12:00 uur, 14:00 - 17:30 uur

Houd er rekening mee dat onze kantooruren gebaseerd zijn op Beijing Time, wat acht uur voorloopt op Greenwich Mean Time (GMT). Wij stellen uw begrip en medewerking bij het dienovereenkomstig plannen van uw vragen en vergaderingen op prijs. Voor dringende zaken of vragen buiten onze reguliere openingstijden kunt u contact met ons opnemen via e-mail. Wij nemen dan zo snel mogelijk contact met u op. Bedankt voor uw zaken en we kijken ernaar uit u van dienst te zijn.

Thuis

Producten

whatsApp

contact