Siliciumcarbide membraanbuis SiC keramisch membraanfilter

Keramische membraanbuis van siliciumcarbide wordt gevormd door herkristallisatietechnologie door sinteren op hoge temperatuur. Het werkingsprincipe is dat de grondstofvloeistof met hoge snelheid in de filmbuis stroomt, aangedreven door drukverschil, de klaringsvloeistof die kleine moleculaire componenten bevat, door de dichte laag gaat. van het membraan worden de gesuspendeerde stoffen, colloïdale deeltjes en macromoleculen in de vloeistof opgesloten en geadsorbeerd in de microporiën, om het doel van vloeistofzuivering, scheiding, concentratie en zuivering te bereiken. Siliciumcarbide membraanbuis heeft een hoge sterkte, goede slijtvastheid, hoge temperatuurbestendigheid, corrosieweerstand, geen vervuiling, uniforme porositeitsverdeling, lange levensduur en gemakkelijke regeneratie, vooral geschikt voor alle soorten gas- en vloeistoffiltratie.

Merk:
ATCERA
Artikelnr.:
AT-SIC-ZC684CE

Materialen
SiC
Vormen
Tube
Toepassingen
Petrochemical Industry , Food Processing , Biology and Medicine

Vraag nu

Eigenschappen van Siliciumcarbide membraanbuis

1. Hoge filtratienauwkeurigheid, kan worden toegepast op verschillende media-precisiefiltratie, de filtratiedeeltjesgrootte kan oplopen tot 0,1um en de efficiëntie kan hoger zijn dan 95%;

2. Goede zuur- en alkalibestendigheid, oxidatiebestendigheid, oliebestendigheid, geschikt voor filtratie van verschillende vloeibare media, waaronder sterk zuur (zoals zwavelzuur, zoutzuur, enz.), sterk alkalisch (zoals natriumhydroxide, enz.) media en diverse organische oplosmiddelen;

3. Hoge mechanische sterkte, geschikt voor vloeistoffiltratie onder hoge druk, de hoogste werkdruk tot 16 MPa, is bevorderlijk voor het verbeteren van de filtratie-efficiëntie en snelheid;

4. Goede thermische stabiliteit, kan worden toegepast op gasfiltratie op hoge temperatuur, en sterilisatiebehandeling op hoge temperatuur is beschikbaar;

5. Lange levensduur, de algemene levensduur kan meer dan 5 jaar bedragen;

6. Eenvoudige bediening, langdurig continu gebruik en de reinigingscyclus is lang, de doorlaatbaarheid kan na het reinigen nog steeds worden hersteld;

7. Het siliciumcarbidemateriaal zelf is smaakloos, niet giftig, er vallen geen vreemde stoffen af en kan worden gebruikt voor steriele mediafiltratie.

Applications of SiC Ceramic Membrane Filter

Toepassingen van Volledig keramische SiC-lagers

Siliciumcarbide membraanbuis heeft een zeer belangrijke toepassing in de voedingsmiddelen- en drankenindustrie, de biogeneeskunde, de fijne chemische industrie en vele andere gebieden. Het kan worden gebruikt in het proces van scheiding, klaring, zuivering, concentratie, sterilisatie, ontzilting, enz.

1. Voedings- en drankenindustrie

Siliciumcarbide membraanbuis kan worden gebruikt bij melkfiltratie, sapconcentratie, natuurlijk plantenextract, wijn-/theedrankproductie, enz.

2. Chemische industrie

Siliciumcarbide membraanbuis wordt veel gebruikt voor het scheiden van vaste stoffen en vloeistoffen, het scheiden van gas en vaste stoffen en het scheiden en zuiveren van organische stoffen, zoals benzeen, fenol, alcohol en verschillende pigmenten.

3. Milieubescherming

Het wordt gebruikt voor het zuiveren van olieachtig afvalwater, textielafvalwater, stedelijk rioolwater en afvalwater van de papierproductie, evenals voor de zuivering van afgas op hoge temperatuur.

4. Biomedisch vakgebied

Siliciumcarbide membraanbuis kan worden gebruikt om deeltjes, bacteriën en macromoleculaire onzuiverheden in het medicijn te scheiden, en medicijnen te ontkleuren, of medicijnvloeistof te verfijnen en te concentreren, de actieve ingrediënten, effectieve monomeren, enz. te extraheren.

Maattabel voor siliciumcarbide membraanbuis

Wij doen er alles aan om optimale siliciumcarbide-membraanbuizen te leveren die zijn afgestemd op uw exacte specificaties. Ons toegewijde team zorgt ervoor dat uw instructies nauwgezet worden opgevolgd en streeft ernaar de verwachtingen van de klant te overtreffen. Daarnaast bieden we de flexibiliteit van aangepaste formaten om aan uw unieke vereisten te voldoen.

Geef tenminste de onderstaande vereisten op, als het aangepaste ontwerp nodig is:

1. Toepassingsscenario

2. De te filteren vloeistof en onzuiverheidssamenstelling, deeltjesgrootte van de onzuiverheid

3. Ontworpen vloeistofdebiet

4. Membraanbuismaat en andere vereisten

Technische specificaties:
Gehalte aan SiC	≥98,5%
Maximale bedrijfstemperatuur	1650â
Dichtheid	2,6-2,74 g/cm³
Elastische modulus	240 GPa
Thermische geleidbaarheid	12W/m*K
Druksterkte	2000 MPa
Lineaire uitzettingscoëfficiënt	4.8X10-6/â

Verzendvereisten voor aangepast ontwerp

Drawing of Silicon Carbide Tubular Filtration Tube Multiple Channels

Siliciumcarbide buisvormige filtratiebuis Meerdere kanalen
Artikelnr.	Uitwendige diameter (mm)	Aantal kanalen	Kanaaldiameter (mm)	Membraangebieden (M2)	Filternauwkeurigheid (μm)	Totale lengte (mm)
AT-THG-MG001	30	7	6	0,13	40/100/500/1000	100-1200
AT-THG-MG002	30	19	4	0,24	40/100/500/1000	100-1200
AT-THG-MG003	40	19	6	0,43	40/100/500/1000	100-1200
AT-THG-MG004	40	37	4	0,56	40/100/500/1000	100-1200
AT-THG-MG005	46	61	4	0,92	40/100/500/1000	1230
AT-THG-MG006	46	81	/	1,27	40/100/500/1000	1230
AT-THG-MG007	46	127	2,7	32.00	40/100/500/1000	1230
AT-THG-MG008	146	524	4,3	7,8	40/100/500/1000	1100

Drawing of Silicon Carbide Membrane Tube Porous Both End Open

Siliciumcarbide membraanbuis poreus, beide uiteinden open
Artikelnr.	Uitwendige diameter (mm)	Binnendiameter (mm)	Totale lengte (mm)	Filternauwkeurigheid (μm)
AT-THG-MG009	30	20	1000	0,1-20
AT-THG-MG010	35	20	1000	0,1-20
AT-THG-MG011	40	20	1000	0,1-20
AT-THG-MG012	50	30	1000	0,1-20
AT-THG-MG013	60	40	1000	0,1-20
AT-THG-MG014	70	40-50	1000	0,1-20
AT-THG-MG015	80	50	1000	0,1-20
AT-THG-MG016	100	60-70	1000	0,1-20
AT-THG-MG017	150	90-100	1000	0,1-20
AT-THG-MG018	180	120	1000	0,1-20
AT-THG-MG019	200	140	1000	0,1-20
AT-THG-MG020	260	200	1000	0,1-20
AT-THG-MG021	300	230	1000	0,1-20

Drawing of Silicon Carbide Membrane Tube Porous One End Closed

Siliciumcarbide membraanbuis, poreus, één uiteinde gesloten
Artikelnr.	Uitwendige diameter (mm)	Binnendiameter (mm)	Totale lengte (mm)	Filternauwkeurigheid (μm)
AT-THG-MG022	60	40	200	0,1-20
AT-THG-MG023	60	40	1500	0,1-20

Drawing of Silicon Carbide Membrane Tube Porous One End Closed Flanged

Siliciumcarbide membraanbuis Poreus, één uiteinde gesloten, geflensd
Artikelnr.	Uitwendige diameter (mm)	Binnendiameter (mm)	Totale lengte (mm)	Diameter van flens (mm)	Filternauwkeurigheid (μm)
AT-THG-MG024	60	40	1000	75	0,1-20
AT-THG-MG025	60	40	1500	75	0,1-20
AT-THG-MG026	70	44	1000	84	0,1-20

Technische gegevens van Silicium Carbide Materialen

Artikel		Eenheid	Indexgegevens
Artikel		Eenheid	Reactie-gesinterd SiC (SiSiC)	Siliciumnitride gebonden met SiC (NBSiC)	Gesinterd SiCn zonder druk (SSiC)
SiC-inhoud		%	85	80	99
Gratis siliciuminhoud		%	15	0	0
Max. Servicetemp.		â	1380	1550	1600
Dichtheid		g/cm3	3,02	2,72	3.1
Porositeit		%	0	12	0
Buigsterkte	20â	Mpa	250	160	380
Buigsterkte	1200â	Mpa	280	180	400
Elasticiteitsmodulus	20â	Gpa	330	220	420
Elasticiteitsmodulus	1200â	Gpa	300	/	/
Thermische geleidbaarheid	1200â	W/m.k	45	15	74
Thermische uitzettingscoëfficiënt		K-1×10-6	4,5	5	4.1
Vickers-hardheid	HV	kg/mm2	2500	2500	2800

*Dit diagram illustreert de standaardkenmerken van de siliciumcarbidematerialen die gewoonlijk worden gebruikt bij de productie van onze SiC-producten en -onderdelen. Houd er rekening mee dat de kenmerken van op maat gemaakte siliciumcarbideproducten en -onderdelen kunnen variëren, afhankelijk van de specifieke processen die daarbij betrokken zijn.

Gebruiksinstructies

1. Bereid je voor

Voordat u de membraanbuis van siliciumcarbide gebruikt, moet deze worden gereinigd en gedesinfecteerd. Gebruik over het algemeen heet water of afwasmiddel om schoon te maken, en gebruik stoom voor desinfectie. Als er sprake is van schade of defecten, moet deze worden vervangen of gerepareerd.

2. Gebruik methode

(1) Selectie: kies de juiste specificatie voor siliciumcarbide membraanbuizen om de beste filtratienauwkeurigheid te verkrijgen;

(2) Installatie: wanneer u een membraanbuis van siliciumcarbide in de overeenkomstige filterapparatuur installeert, moet de bediening strikt in overeenstemming met de instructies worden uitgevoerd;

(3) Starten en sluiten van de membraanbuis: Voordat u de membraanbuis start, moet u ervoor zorgen dat deze goed is aangesloten op de pijpleiding en de waterpomp in de apparatuur, en zorg ervoor dat u eerst de waterpomp inschakelt en vervolgens het filtermembraan start; Nadat het membraan is gesloten, is het beter om het schoon te maken om de beste levensduur te verkrijgen.

3. Onderhoudsvoorzorgsmaatregelen

(1) Controleer de membraanbuis regelmatig en los problemen zoals verstopping of schade op;

(2) Reinig en desinfecteer het filtermembraan regelmatig om de normale werking ervan te garanderen;

(3) Registreer het onderhoud en de vervanging van de membraanbuis, om een redelijke onderhoudscyclus en levensduur te bepalen.

(4) Vervang de membraanbuis of filtermembraanaccessoires regelmatig om het filtratie-effect en de stabiliteit ervan te garanderen.

Waardevolle informatie

Specificatie van siliciumcarbidefiltratiebuis

SiC-inhoud	≥98,5%
Porositeit	5-50%
Dichtheid	1,4-2,55 g/cm3
Poriegrootte	0,1-50 μm
Maximale werkdruk	2MPa
Buigsterkte	10-18Mpa
Druksterkte	25-45 MPa
Maximale bedrijfstemperatuur	800â (voor verzoeken om hogere temperaturen kunt u contact opnemen met ATCERA)
In overeenstemming met de EU ROHS-milieunormen

Maatwerk voordelen

1. Analyseer, afhankelijk van uw toepassingsscenario, de behoeften, kies het juiste materiaal en verwerkingsplan.

2. Professioneel team, snelle reactie, kan binnen 24 uur na bevestiging van de vraag oplossingen en offertes bieden.

3. Flexibel mechanisme voor zakelijke samenwerking, ondersteunt ten minste één stuk kwantiteitsaanpassing.

4. Lever snel monsters en testrapporten om te bevestigen dat het product aan uw behoeften voldoet.

5. Geef suggesties voor productgebruik en onderhoud om uw gebruikskosten te verlagen.

Vraag een gratis offerte aan

Gerelateerde blog

Chemisch-mechanisch polijsten van AlN-substraat: de belangrijkste manier om microscheurtjes en ondergrondse schade te overwinnen

Op het gebied van micro-elektronische verpakkingen wordt aluminiumnitride-keramiek geleidelijk het voorkeursmateriaal voor hoogwaardige chipskoelsubstraten vanwege hun uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische sterkte en elektrische eigenschappen. De hoge hardheid en hoge brosheid ervan kunnen tijdens de verwerking echter gemakkelijk microscheurtjes aan het oppervlak en beschadigingen ond...

Lees meer

Onderzoek naar de thermische geleidbaarheid van aluminiumnitridesubstraat en analyse van de invloed van zuurstofverontreiniging

Lange tijd hebben de meeste substraatmaterialen van hybride geïntegreerde schakelingen met hoog vermogen Al2O3- en BeO-keramiek gebruikt, maar de thermische geleidbaarheid van het Al2O3-substraat is laag en de thermische uitzettingscoëfficiënt komt niet goed overeen met die van Si. Hoewel de uitgebreide prestaties van BeO uitstekend zijn, beperken de hoge productiekosten en de zeer giftige tekortk...

Lees meer

Evolutie van keramische substraatmaterialen: doorbraken van aluminiumoxide tot aluminiumnitride en siliciumnitride

In de huidige snel veranderende elektronica-industrie, waarbij keramische substraatmaterialen een belangrijke basis vormen voor de ondersteuning van hoogwaardige elektronische apparaten, zijn de prestaties en kenmerken ervan rechtstreeks van invloed op de algehele prestaties en betrouwbaarheid van elektronische producten. Van het vroege aluminiumoxide-keramiek tot het latere aluminiumnitride, sili...

Lees meer

De toepasbaarheid van aluminiumnitridesubstraat als verpakkingsmateriaal voor het verbeteren van de warmteafvoer in elektrische apparaten

Met de snelle ontwikkeling van elektronische technologie worden de alomvattende prestaties van elektronische chips met de dag verbeterd, maar de totale omvang neemt af. Deze trend brengt aanzienlijke prestatieverbeteringen met zich mee, maar brengt ook een serieuze uitdaging met zich mee: een dramatische toename van de warmtestroom. Voor elektronische apparaten kan zelfs een kleine temperatuurstij...

Lees meer

Verbetering van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat

Op het gebied van geavanceerde keramische materialen heeft siliciumnitride (Si3N4) veel aandacht getrokken vanwege zijn uitstekende mechanische sterkte, chemische stabiliteit en hoge temperatuureigenschappen. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride-keramiek is echter, als een van de sleutelfactoren die de brede toepassing ervan beïnvloeden, een belangrijk onderwerp in materiaalwetenschapp...

Lees meer

Onderzoek naar het roostertrillingsmechanisme en de sinterassistentstrategie van siliciumnitridesubstraten

In geavanceerde technologieën zoals hoogwaardige elektronische verpakkingen, ruimtevaart en energieconversie staan siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen hoog aangeschreven vanwege hun uitstekende mechanische eigenschappen, chemische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride, als een van de belangrijkste factoren die de brede toepassing ...

Lees meer

Optimalisatie van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat

Bij het onderzoeken van siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen als kern van een hoogwaardige oplossing voor thermisch beheer, is ons begrip van hun warmteoverdrachtsmechanismen van cruciaal belang. Het is bekend dat het belangrijkste warmteoverdrachtsmechanisme van siliciumnitride berust op roostervibratie, een proces dat warmte overdraagt via gekwantiseerde hete ladingsdragers die fononen...

Lees meer

Toepassingspotentieel van siliciumnitridesubstraat in het warmtedissipatieveld van halfgeleiderapparaten

Nadat we het intelligente informatietijdperk zijn binnengegaan, hebben halfgeleiderapparaten ons leven snel in beslag genomen. Omdat de door het werkstuk gegenereerde warmte een sleutelfactor is die het falen van halfgeleiderapparaten veroorzaakt, is het, om veel problemen veroorzaakt door defecten aan het apparaat te voorkomen en de effectieve en veilige werking ervan op lange termijn te garander...

Lees meer

Optimaliseer sinteradditieven om de prestaties van AlN-substraat te verbeteren

In praktische toepassingen moeten aluminiumnitridesubstraten, naast een hoge thermische geleidbaarheid en hoge elektrische isolatie-eigenschappen, op veel gebieden ook een hoge buigsterkte hebben. Momenteel is de driepuntsbuigsterkte van aluminiumnitride dat op de markt in omloop is gewoonlijk 400 ~ 500 MPa, wat de promotie en toepassing van keramische substraten van aluminiumnitride ernstig beper...

Lees meer

Fabricagetechnologie van dikke-filmweerstanden op AlN-substraat

Met de voortdurende vooruitgang van de micro-elektronische verpakkingstechnologie zijn de kracht en de integratie van elektronische componenten aanzienlijk toegenomen, wat heeft geleid tot een aanzienlijke toename van de warmteopwekking per volume-eenheid, waardoor strengere eisen zijn gesteld aan de efficiëntie van de warmteafvoer (dat wil zeggen , de warmtegeleidingsprestaties) van de nieuwe gen...

Lees meer

Gerelateerde producten

Reactiegebonden siliciumcarbidebuis RBSiC-buis

Nitridegebonden siliciumcarbidebuis NBSiC-beschermingsbuis

Pressureless sintered silicon carbide tube

Drukloze gesinterde siliciumcarbidebuis SSiC-buis

Siliciumnitridesubstraat Si3N4-substraat Keramisch substraat

Siliciumnitride keramische smeltkroes Si3N4 smeltkroes met deksel

Keramische ring voor fiberlasersnijmachine

Siliciumcarbide waferboot SiC-boot voor het hanteren van wafers

Aluminiumoxide maalkogels Keramische maalmedia Aluminiumoxide cilinder

Veelgestelde vragen

Levert u de materialen die niet op uw website staan?

Hoewel onze primaire focus ligt op geavanceerde keramische materialen zoals aluminiumoxide, zirkoniumoxide, siliciumcarbide, siliciumnitride, aluminiumnitride en kwartskeramiek, onderzoeken we altijd nieuwe materialen en technologieën. Als u een specifieke materiaalbehoefte heeft, neem dan contact met ons op. Wij zullen ons best doen om aan uw behoeften te voldoen of geschikte partners te vinden.

Kunt u helpen bij de materiaalkeuze en het ontwerp van keramische producten?

Absoluut. Ons technisch team beschikt over diepgaande kennis van keramische materialen en uitgebreide ervaring in productontwerp. Wij geven u graag materiaalkeuzeadvies en productontwerpondersteuning om optimale prestaties van uw producten te garanderen.

Heeft u een minimale bestelwaarde?

Wij hanteren geen vaste minimale bestelwaarde. We richten ons altijd op het voldoen aan de behoeften van onze klanten en streven ernaar om hoogwaardige service en producten te leveren, ongeacht de ordergrootte.

Welke diensten biedt u naast keramische producten?

Naast keramische producten bieden wij ook een reeks aanvullende diensten aan, waaronder maar niet beperkt tot: op maat gemaakte keramische verwerkingsdiensten op basis van uw behoeften, waarbij gebruik wordt gemaakt van door u zelf geproduceerde plano's of halfafgewerkte plano's; Als u geïnteresseerd bent in uitbestede keramische verpakkings- en metallisatiediensten, neem dan contact met ons op voor verdere discussie. We streven er altijd naar om u een totaaloplossing te bieden die aan uw verschillende behoeften voldoet.

Biedt u internationale verzenddiensten aan?

Ja, dat doen we. Waar ter wereld u zich ook bevindt, wij kunnen de veilige en tijdige levering van uw bestelling garanderen.

Alle FAQ\'s

Stuur uw aanvraag

Neem contact met ons op

Neem contact met ons op

Looking for Video?

Kantooruren

Maandag tot en met vrijdag: 9:00 - 12:00 uur, 14:00 - 17:30 uur

Houd er rekening mee dat onze kantooruren gebaseerd zijn op Beijing Time, wat acht uur voorloopt op Greenwich Mean Time (GMT). Wij stellen uw begrip en medewerking bij het dienovereenkomstig plannen van uw vragen en vergaderingen op prijs. Voor dringende zaken of vragen buiten onze reguliere openingstijden kunt u contact met ons opnemen via e-mail. Wij nemen dan zo snel mogelijk contact met u op. Bedankt voor uw zaken en we kijken ernaar uit u van dienst te zijn.

Thuis

Producten

contact