Bloggen

De productie van halfgeleiders is de hoeksteen van de ontwikkeling van moderne wetenschap en technologie. Met het voortdurende streven van de industrie naar kleinere, snellere en efficiëntere geïntegreerde schakelingen neemt de precisie en technische complexiteit van het productieproces ook toe. Elke stap is onlosmakelijk verbonden met hoge prestaties. , hoogwaardige en uiterst nauwkeurige halfgeleiderapparatuur. Als structureel keramisch materiaal met uitstekende prestaties heeft siliciumcarbide (SiC) de kenmerken van hoge dichtheid, hoge thermische geleidbaarheid, hoge buigsterkte, hoge elastische modulus, sterke corrosieweerstand, hoge temperatuurbestendigheid, enz. Het is niet eenvoudig om buiging te produceren spanningsvervorming en thermische spanning, en kan zich aanpassen aan de sterke corrosie en reactieomgeving met ultrahoge temperaturen van wafelepitaxie, etsen en andere productieverbindingen. Daarom wordt het op grote schaal gebruikt in halfgeleiderproductieprocessen zoals slijpen en polijsten, epitaxiale/oxidatie/diffusiewarmtebehandeling, lithografie, afzetting, etsen en ionenimplantatie.

De productie van wafels is onlosmakelijk verbonden met oxidatie-, diffusie-, uitgloei-, legerings- en andere warmtebehandelingsprocessen, en de halfgeleiderapparatuur die wordt gebruikt in het warmtebehandelingsproces beschikt over oxidatieovens (die zijn onderverdeeld in horizontale ovens en verticale ovens), snelle warmtebehandeling (RTP, RapidThermalProcessing ) apparatuur. Door de hoge bedrijfstemperatuur zijn ook de prestatie-eisen van de componenten in de reactiekamer hoog. Zeer zuivere gesinterde siliciumcarbideonderdelen hebben de kenmerken van hoge sterkte, hoge hardheid, hoge elastische modulus, hoge specifieke stijfheid, hoge thermische geleidbaarheid, lage thermische uitzettingscoëfficiënt, enz., en zijn onmisbare onderdelen in de reactiekamer van warmtebehandeling met geïntegreerde schakelingen apparatuur. Het omvat voornamelijk verticale boot- , voetstuk- , binnenbanden  en warmte-isolatieschotten.

Momenteel wordt het grootste deel van het marktaandeel van de markt voor gesinterd siliciumcarbide met hoge zuiverheid voor halfgeleiderapparatuur voornamelijk gedomineerd door buitenlandse bedrijven zoals de Japan Kyokera Group en het Amerikaanse Quastai. Door technologische accumulatie en innovatie op lange termijn hebben ze niet alleen een compleet assortiment producten ontwikkeld, maar heeft ook de verwerkingstechnologie van materiaaleigenschappen, precisie en complexe structuur het toonaangevende niveau in de sector bereikt. Het kan speciale componenten leveren voor kernapparatuur met geïntegreerde schakelingen, zoals een fotolithografiemachine, plasma-etsapparatuur, filmafzettingsapparatuur en ionenimplantatieapparatuur.