silicon carbide crucible
silicon carbide crucible
silicon carbide crucible
silicon carbide crucible
silicon carbide crucible

Siliciumcarbide smeltkroes Drukloze gesinterde SiC smeltkroes

De siliciumcarbide smeltkroes beschikt over een reeks opmerkelijke eigenschappen, zoals hoge temperatuurbestendigheid, uitstekende thermische schokstabiliteit, minimale uitzettingscoëfficiënt, veerkracht tegen sterke zuren en logen, weerstand tegen afbrokkelen, goede anti-poedereigenschappen en superieure kruipweerstand bij hoge temperaturen. Bovendien zorgt de snelle warmtegeleiding ervoor dat de producten die worden gebakken gelijkmatig worden verwarmd, waardoor het energieverbruik effectief wordt verminderd, het bakproces wordt versneld en de productieopbrengst wordt verbeterd. Deze smeltkroes vindt wijdverbreide toepassing bij het sinteren van lithium-ionbatterijmaterialen, elektronische componenten, magnetische materialen, zeer corrosieve stoffen en verschillende keramische poeders.

  • Merk:

    ATCERA
  • Artikelnr.:

    AT-SIC-G1001
  • Materialen

    SiC
  • Vormen

    Crucible
  • Toepassingen

    Petrochemical Industry , Metallurgy Industry , Laboratory Equipment and Instruments
SiC crucible

Eigenschappen van Siliciumcarbide smeltkroes

1. Uitstekende thermische geleidbaarheid

De thermische geleidbaarheid overtreft ruimschoots die van andere corrosiebestendige materialen, waardoor het gebruik van kleinere warmtewisselingsoppervlakken mogelijk is voor dezelfde efficiëntie van de warmteoverdracht.

2. Opmerkelijke corrosieweerstand

Beschikt over een uitzonderlijke corrosie-, oxidatie- en erosieweerstand en is bestand tegen hoge concentraties zwavelzuur, salpeterzuur, fosforzuur, gemengde zuren, sterke basen en oxidatiemiddelen, waardoor een uitstekende levensduur wordt geboden.

3. Superieure thermomechanische eigenschappen

Beschikt over een hoge sterkte en hardheid, samen met uitzonderlijke slijtvastheid en ondoordringbaarheid onder extreem hoge temperaturen en drukken. Het laat media met hoge snelheid passeren en kan normaal functioneren bij temperaturen tot 1300ºC.

Ceramic crucible SiC

Toepassingen van Drukloze gesinterde SiC-kroes

1. Metallurgie

Op grote schaal gebruikt voor het smelten en bevatten van aluminium, koper en andere metalen en hun legeringen.

2. Gietindustrie: gebruikt voor het smelten en gieten van verschillende metalen, waaronder ijzer, staal en brons.

3. Glasproductie

Gebruikt voor het smelten en verfijnen van glasmaterialen.

4. Halfgeleiderindustrie

Speelt een cruciale rol, vooral bij de productie van halfgeleiderwafels van siliciumcarbide.

Ontwerpgrootte voor siliciumcarbide smeltkroes

Wij doen er alles aan om een ​​optimale siliciumcarbide smeltkroes te leveren, afgestemd op uw exacte specificaties. Ons toegewijde team zorgt ervoor dat uw instructies nauwgezet worden opgevolgd en streeft ernaar de verwachtingen van de klant te overtreffen. Daarnaast bieden we de flexibiliteit van aangepaste formaten om aan uw unieke vereisten te voldoen.

Voor aangepaste bestellingen dient u de volgende specificaties op te geven: buitendiameter, binnendiameter, wanddikte, hoogte en zuiverheidsniveau.

drawing of Silicon Carbide Ceramic Crucib Cylindrical

Keramische kroes van siliciumcarbide, cilindrisch
Artikelnr. Buitendiameter
(mm)
Binnendiameter
(mm)
Hoogte
(mm)
Dikte
(mm)
AT-SIC-G1001 10,0 7,8 19.0 1,1
AT-SIC-G1002 12 8 26 2
AT-SIC-G1003 14,5 10,5 33,5 2
AT-SIC-G1004 20 16 31 2
AT-SIC-G1005 22 16 80 3
AT-SIC-G1006 23 19 81 2
AT-SIC-G1007 28 21 110 3,5
AT-SIC-G1008 29 22 17,5 3,5
AT-SIC-G1009 29 24 19,7 2,5
AT-SIC-G1010 32,5 26,5 29 3
AT-SIC-G1011 38 29 32,5 4,5
AT-SIC-G1012 38 29,8 45 4.1
AT-SIC-G1013 41 33 71,5 4
AT-SIC-G1014 42 33 73 4,5
AT-SIC-G1015 45 38 18 3,5
AT-SIC-G1016 47,5 38 74 4,75
AT-SIC-G1017 51 41 122 5
AT-SIC-G1018 51 44 73 3,5
AT-SIC-G1019 52 39 144 6,5
AT-SIC-G1020 53 42 124 5,5
AT-SIC-G1021 60 51 100 4,5
AT-SIC-G1022 61 51 102 5
AT-SIC-G1023 61 52 102 4,5
AT-SIC-G1024 61,5 53 122 4,25
AT-SIC-G1025 63 52 103,5 5,5
AT-SIC-G1026 65 55 64,5 5
AT-SIC-G1027 71 61 111 5
AT-SIC-G1028 72,562,5 113 5
AT-SIC-G1029 73 62,5 125,5 5,25
AT-SIC-G1030 80 58 91 11
AT-SIC-G1031 93 83 103 5
AT-SIC-G1032 94 83,5 104,5 5,25
AT-SIC-G1033 100 92 132 4
AT-SIC-G1034 104 90 182 7
AT-SIC-G1035 105 95 135,5 5
AT-SIC-G1036 380 344 255 18

drawing of Silicon Carbide Ceramic Crucib Rectangular

Keramische kroes van siliciumcarbide, rechthoekig
Artikelnr. Lengte
(mm)
Breedte
(mm)
Hoogte
(mm)
Dikte
(mm)
AT-SIC-G1037 51,5 25,5 20,5 3,5
AT-SIC-G1038 70 70 25 5
AT-SIC-G1039 80,5 67,5 21 5
AT-SIC-G1040 100 100 30 4
AT-SIC-G1041 100 30 25 5
AT-SIC-G1042 122 49 37 5
AT-SIC-G1043 150 150 80 5,5
AT-SIC-G1044 160 160 72 7
AT-SIC-G1045 175 175 50 6
AT-SIC-G1046 180 70 35 5,5
AT-SIC-G1047 190 80 40 6
AT-SIC-G1048 200 35 8 5,5
AT-SIC-G1049 265 175 20 8
AT-SIC-G1050 300 300 110 6
AT-SIC-G1051 300 300 150 6,5
AT-SIC-G1052 300 300 175 7,5
AT-SIC-G1053 320 320 110 6,5
AT-SIC-G1054 320 320 48 5,5
AT-SIC-G1055 320 320 60 6
AT-SIC-G1056 320 320 75 6
AT-SIC-G1057 320 320 80 7
AT-SIC-G1058 320 320 85 8
AT-SIC-G1059 490 255 50 10

drawing of Silicon Carbide Ceramic Crucib Arch

Keramische kruisboog van siliciumcarbide
Artikelnr. Bovendiameter
(mm)
Onderdiameter
(mm)
Hoogte
(mm)
Dikte
(mm)
AT-SIC-G1060 53 30 52 3
AT-SIC-G1061 60 45 50 3,5
AT-SIC-G1062 65 30 55 4
AT-SIC-G1063 85 58 75 4,2
AT-SIC-G1064 89 70 112 4,8
AT-SIC-G1065 100 70 110 5,5

drawing of Silicon Carbide Lid Circular Plate Cover

Deksel van ronde plaat van siliciumcarbide
Artikelnr. Diameter
(mm)
Dikte
(mm)
AT-SIC-G1066 20 2
AT-SIC-G1067 32,5 3
AT-SIC-G1068 45 3,5
AT-SIC-G1069 51 5
AT-SIC-G1070 72,5 5
AT-SIC-G1071 100 4
AT-SIC-G1072 104 7

Technische gegevens van Silicium Carbide Materialen

Artikel Eenheid Indexgegevens
Reactie-gesinterd SiC
(SiSiC)
Siliciumnitride gebonden met SiC
(NBSiC)
Gesinterd SiCn zonder druk
(SSiC)
SiC-inhoud % 85 80 99
Gratis siliciuminhoud % 15 0 0
Max. Servicetemp. â 1380 1550 1600
Dichtheid g/cm3 3,02 2,72 3.1
Porositeit % 0 12 0
Buigsterkte 20â Mpa 250 160 380
1200â Mpa 280 180 400
Elasticiteitsmodulus 20â Gpa 330 220 420
1200â Gpa 300 / /
Thermische geleidbaarheid 1200â W/m.k 45 15 74
Thermische uitzettingscoëfficiënt K-1×10-6 4,5 5 4.1
Vickers-hardheid HV kg/mm2 2500 2500 2800

*Dit diagram illustreert de standaardkenmerken van de siliciumcarbidematerialen die gewoonlijk worden gebruikt bij de productie van onze SiC-producten en -onderdelen. Houd er rekening mee dat de kenmerken van op maat gemaakte siliciumcarbideproducten en -onderdelen kunnen variëren, afhankelijk van de specifieke processen die daarbij betrokken zijn.

Gebruiksinstructies

1. Verwarm de smeltkroes voor voordat u metalen gaat smelten of gieten, om plotselinge temperatuurschommelingen te voorkomen. Ondersteun de smeltkroes tijdens het verwarmen met een driehoekige beugel van modder aan de onderkant. Vermijd snelle afkoeling na gebruik, aangezien de weerstand van de smeltkroes beperkt is en een te hoge temperatuur gevolgd door een plotselinge daling potentiële gevaren kan opleveren.
2. Wanneer u verwarmingsmaterialen aan de smeltkroes toevoegt, giet u langzaam en laat u voldoende ruimte over voor luchtcirculatie om de smeltefficiëntie te verbeteren. Als er te veel wordt gevuld, kan er tijdens het smeltproces metaal uitstromen, wat een risico voor de operators met zich meebrengt.
3. Gezien het hoge rendement van de siliciumcarbidekroes is het bij het naderen van verdamping van cruciaal belang om de concentratie te behouden en restwarmte voor verdamping te gebruiken in plaats van de kroes volledig te laten drogen. Het verdampingsproces moet langzaam worden afgekoeld en op de juiste manier worden afgehandeld. Het is van essentieel belang dat u de relevante bedieningsinstructies zorgvuldig leest en opvolgt om onjuist gebruik te voorkomen.

Waardevolle informatie

SiC Ceramic Crucible Packing

SiC-kroes Verpakking

Siliciumcarbide smeltkroezen worden zorgvuldig verpakt in geschikte containers om mogelijke schade te voorkomen.

Maatwerk voordelen
Maatwerk voordelen

1. Analyseer, afhankelijk van uw toepassingsscenario, de behoeften, kies het juiste materiaal en verwerkingsplan.

2. Professioneel team, snelle reactie, kan binnen 24 uur na bevestiging van de vraag oplossingen en offertes bieden.

3. Flexibel mechanisme voor zakelijke samenwerking, ondersteunt ten minste één stuk kwantiteitsaanpassing.

4. Lever snel monsters en testrapporten om te bevestigen dat het product aan uw behoeften voldoet.

5. Geef suggesties voor productgebruik en onderhoud om uw gebruikskosten te verlagen.

Gerelateerde blog
Chemisch-mechanisch polijsten van AlN-substraat: de belangrijkste manier om microscheurtjes en ondergrondse schade te overwinnen
Op het gebied van micro-elektronische verpakkingen wordt aluminiumnitride-keramiek geleidelijk het voorkeursmateriaal voor hoogwaardige chipskoelsubstraten vanwege hun uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische sterkte en elektrische eigenschappen. De hoge hardheid en hoge brosheid ervan kunnen tijdens de verwerking echter gemakkelijk microscheurtjes aan het oppervlak en beschadigingen ond...
Onderzoek naar de thermische geleidbaarheid van aluminiumnitridesubstraat en analyse van de invloed van zuurstofverontreiniging
Lange tijd hebben de meeste substraatmaterialen van hybride geïntegreerde schakelingen met hoog vermogen Al2O3- en BeO-keramiek gebruikt, maar de thermische geleidbaarheid van het Al2O3-substraat is laag en de thermische uitzettingscoëfficiënt komt niet goed overeen met die van Si. Hoewel de uitgebreide prestaties van BeO uitstekend zijn, beperken de hoge productiekosten en de zeer giftige tekortk...
Evolutie van keramische substraatmaterialen: doorbraken van aluminiumoxide tot aluminiumnitride en siliciumnitride
In de huidige snel veranderende elektronica-industrie, waarbij keramische substraatmaterialen een belangrijke basis vormen voor de ondersteuning van hoogwaardige elektronische apparaten, zijn de prestaties en kenmerken ervan rechtstreeks van invloed op de algehele prestaties en betrouwbaarheid van elektronische producten. Van het vroege aluminiumoxide-keramiek tot het latere aluminiumnitride, sili...
De toepasbaarheid van aluminiumnitridesubstraat als verpakkingsmateriaal voor het verbeteren van de warmteafvoer in elektrische apparaten
Met de snelle ontwikkeling van elektronische technologie worden de alomvattende prestaties van elektronische chips met de dag verbeterd, maar de totale omvang neemt af. Deze trend brengt aanzienlijke prestatieverbeteringen met zich mee, maar brengt ook een serieuze uitdaging met zich mee: een dramatische toename van de warmtestroom. Voor elektronische apparaten kan zelfs een kleine temperatuurstij...
Verbetering van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat
Op het gebied van geavanceerde keramische materialen heeft siliciumnitride (Si3N4) veel aandacht getrokken vanwege zijn uitstekende mechanische sterkte, chemische stabiliteit en hoge temperatuureigenschappen. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride-keramiek is echter, als een van de sleutelfactoren die de brede toepassing ervan beïnvloeden, een belangrijk onderwerp in materiaalwetenschapp...
Onderzoek naar het roostertrillingsmechanisme en de sinterassistentstrategie van siliciumnitridesubstraten
In geavanceerde technologieën zoals hoogwaardige elektronische verpakkingen, ruimtevaart en energieconversie staan ​​siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen hoog aangeschreven vanwege hun uitstekende mechanische eigenschappen, chemische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride, als een van de belangrijkste factoren die de brede toepassing ...
Optimalisatie van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat
Bij het onderzoeken van siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen als kern van een hoogwaardige oplossing voor thermisch beheer, is ons begrip van hun warmteoverdrachtsmechanismen van cruciaal belang. Het is bekend dat het belangrijkste warmteoverdrachtsmechanisme van siliciumnitride berust op roostervibratie, een proces dat warmte overdraagt ​​via gekwantiseerde hete ladingsdragers die fononen...
Toepassingspotentieel van siliciumnitridesubstraat in het warmtedissipatieveld van halfgeleiderapparaten
Nadat we het intelligente informatietijdperk zijn binnengegaan, hebben halfgeleiderapparaten ons leven snel in beslag genomen. Omdat de door het werkstuk gegenereerde warmte een sleutelfactor is die het falen van halfgeleiderapparaten veroorzaakt, is het, om veel problemen veroorzaakt door defecten aan het apparaat te voorkomen en de effectieve en veilige werking ervan op lange termijn te garander...
Optimaliseer sinteradditieven om de prestaties van AlN-substraat te verbeteren
In praktische toepassingen moeten aluminiumnitridesubstraten, naast een hoge thermische geleidbaarheid en hoge elektrische isolatie-eigenschappen, op veel gebieden ook een hoge buigsterkte hebben. Momenteel is de driepuntsbuigsterkte van aluminiumnitride dat op de markt in omloop is gewoonlijk 400 ~ 500 MPa, wat de promotie en toepassing van keramische substraten van aluminiumnitride ernstig beper...
Fabricagetechnologie van dikke-filmweerstanden op AlN-substraat
Met de voortdurende vooruitgang van de micro-elektronische verpakkingstechnologie zijn de kracht en de integratie van elektronische componenten aanzienlijk toegenomen, wat heeft geleid tot een aanzienlijke toename van de warmteopwekking per volume-eenheid, waardoor strengere eisen zijn gesteld aan de efficiëntie van de warmteafvoer (dat wil zeggen , de warmtegeleidingsprestaties) van de nieuwe gen...

Gerelateerde producten

Veelgestelde vragen

Hoewel onze primaire focus ligt op geavanceerde keramische materialen zoals aluminiumoxide, zirkoniumoxide, siliciumcarbide, siliciumnitride, aluminiumnitride en kwartskeramiek, onderzoeken we altijd nieuwe materialen en technologieën. Als u een specifieke materiaalbehoefte heeft, neem dan contact met ons op. Wij zullen ons best doen om aan uw behoeften te voldoen of geschikte partners te vinden.

Absoluut. Ons technisch team beschikt over diepgaande kennis van keramische materialen en uitgebreide ervaring in productontwerp. Wij geven u graag materiaalkeuzeadvies en productontwerpondersteuning om optimale prestaties van uw producten te garanderen.

Wij hanteren geen vaste minimale bestelwaarde. We richten ons altijd op het voldoen aan de behoeften van onze klanten en streven ernaar om hoogwaardige service en producten te leveren, ongeacht de ordergrootte.

Naast keramische producten bieden wij ook een reeks aanvullende diensten aan, waaronder maar niet beperkt tot: op maat gemaakte keramische verwerkingsdiensten op basis van uw behoeften, waarbij gebruik wordt gemaakt van door u zelf geproduceerde plano's of halfafgewerkte plano's; Als u geïnteresseerd bent in uitbestede keramische verpakkings- en metallisatiediensten, neem dan contact met ons op voor verdere discussie. We streven er altijd naar om u een totaaloplossing te bieden die aan uw verschillende behoeften voldoet.

Ja, dat doen we. Waar ter wereld u zich ook bevindt, wij kunnen de veilige en tijdige levering van uw bestelling garanderen.

Stuur uw aanvraag

Uploaden
* File ONLY PDF/JPG./PNG. Available.
Submit Now

Neem contact met ons op

Neem contact met ons op
Vul dan onderstaand formulier zo goed mogelijk in. En maak je geen zorgen over de details.
Indienen
Looking for Video?
Neem contact met ons op #
19311583352

Kantooruren

  • Maandag tot en met vrijdag: 9:00 - 12:00 uur, 14:00 - 17:30 uur

Houd er rekening mee dat onze kantooruren gebaseerd zijn op Beijing Time, wat acht uur voorloopt op Greenwich Mean Time (GMT). Wij stellen uw begrip en medewerking bij het dienovereenkomstig plannen van uw vragen en vergaderingen op prijs. Voor dringende zaken of vragen buiten onze reguliere openingstijden kunt u contact met ons opnemen via e-mail. Wij nemen dan zo snel mogelijk contact met u op. Bedankt voor uw zaken en we kijken ernaar uit u van dienst te zijn.

Thuis

Producten

whatsApp

contact