What Are You Looking For?

Popular Searches :

keramische smeltkroes smeltkroes van aluminiumoxide siliciumcarbide siliciumcarbide buizen zirkonia smeltkroes keramisch substraat keramiek buis keramisch substraat gemetalliseerd

You are in:

/ Thuis / Aluminiumnitride keramiek / Aluminiumnitridesubstraten /Aluminiumnitride Keramisch substraat AlN-substraat
Aluminum nitride substrate
Aluminum nitride substrate
Aluminum nitride substrate
Aluminum nitride substrate
Aluminum nitride substrate

Aluminiumnitride Keramisch substraat AlN-substraat

Keramisch substraat van aluminiumnitride is gemaakt van aluminiumnitridepoeder als grondstof en na het vormen gesinterd. Het heeft uitstekende thermische geleidbaarheid, lage diëlektrische constante en diëlektrisch verlies, betrouwbare elektrische isolatie-eigenschappen, uitstekende mechanische eigenschappen en corrosieweerstand, en wordt veel gebruikt in communicatieapparatuur, LED's met hoge helderheid, voedingsmodules, enz.

  • Merk:

    ATCERA

  • Artikelnr.:

    AT-AIN-ZT-003

  • Materialen

    AlN

  • Vormen

    Substrate

  • Toepassingen

    Semiconductor
Vraag nu
Aluminum nitride ceramic substrate

Eigenschappen van keramisch substraat van aluminiumnitride

1. Met een hoge thermische geleidbaarheid, tot 220 W/(â*m), kleine thermische uitzettingscoëfficiënt, slechts ongeveer 4*10-6/â, is de weerstand tegen thermische schokken goed.

2. Goede elektrische isolatie, hoge doorslagspanning, groot stroomdraagvermogen.

3. Hoge mechanische sterkte, goede taaiheid, sterke weerstand tegen mechanische impact.

4. Het is bestand tegen erosie van verschillende zuren, alkaliën en andere chemische stoffen, de corrosieweerstand is zeer goed.

5. Een lage diëlektrische constante en een laag diëlektrisch verlies kunnen het energieverlies tijdens de signaaloverdracht verminderen.

Applications of AlN Substrate

Toepassingen van AlN-substraat

Keramisch substraat van aluminiumnitride heeft uitstekende thermische geleidbaarheidsprestaties. Het wordt voornamelijk gebruikt bij de productie van halfgeleiders, elektronica en andere micro-elektronische apparaten, als substraat voor chips en elektronische componenten, waaronder geïntegreerde schakelingen (IC), radiofrequentie (RF) apparaten, piëzo-elektrische componenten, foto-elektrische componenten, sensoren, MEMS en andere micro-elektronische apparaten. Als hoogwaardig materiaal kan het keramische substraat van aluminiumnitride een stabiel ondersteuningsplatform bieden om de normale werking en prestaties van de componenten te garanderen.

1. Laboratoriumanalyse: Siliciumnitride smeltkroes kan worden gebruikt om verschillende materialen te verwarmen en te smelten, 1. LED-chip: aluminiumnitride keramisch substraat heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid en mechanische sterkte, kan worden gebruikt om LED-chips met hoge helderheid te vervaardigen, waardoor de lichtefficiëntie van LED.

2. Elektronische componenten: keramisch substraat van aluminiumnitride kan worden gebruikt voor de vervaardiging van een verscheidenheid aan krachtige en krachtige elektronische componenten, zoals vermogenshalfgeleiderapparaten, microgolfapparaten, sensoren, radiofrequentiemodules, enz., om een ​​stabielere werking te bereiken omstandigheden en hogere prestatie-indicatoren.

3. Foto-elektrische apparaten: keramisch substraat van aluminiumnitride kan worden gebruikt bij de vervaardiging van opto-elektronische onderdelen, waaronder laserdiodes, zonnecellen, fotodetectoren, optische communicatieapparatuur, enz.

4. Apparaten voor thermisch beheer: keramische substraten van aluminiumnitride kunnen ook worden gebruikt voor de vervaardiging van verschillende soorten apparaten voor thermisch beheer, zoals koellichaam, koude plaat, enz., om de temperatuur van elektronische componenten en opto-elektronische apparaten effectief te regelen, waardoor hun betrouwbaarheid en levensduur worden verbeterd tijd.

Maattabel voor keramisch substraat van aluminiumnitride

Wij doen er alles aan om eersteklas aluminiumnitridesubstraten te leveren die zijn afgestemd op uw exacte specificaties. Ons toegewijde team zorgt ervoor dat uw instructies nauwgezet worden opgevolgd en streeft ernaar de verwachtingen van de klant te overtreffen. Daarnaast bieden we de flexibiliteit van aangepaste formaten om aan uw unieke vereisten te voldoen.

In geval van een aangepast ontwerpverzoek moeten tekeningen en parametervereisten worden verstrekt.

Dimensionale tolerantie
Artikel AN-170 AN-200 AN-230
grensafmeting inch(max) 5,5"×7,5" 5,0"×7,0" 5,0"×7,0"
Tolerantie ±1% NLT:±0,1 mm ±1% NLT:±0,1 mm ±1% NLT:±0,1 mm
Dikte Afmeting (mm) 0,25~1,5 0,25~1,5 0,25~0,635
Tolerantie ±10% NLT:±0,04 mm ±10% NLT:±0,04 mm ±10% NLT:±0,04 mm
Gat Grootte (mmï¼ Φ0,2~ Φ0,2~Φ0,2~
Tolerantie ±0,6% NLT:±0,05 mm ±0,6% NLT:±0,05 mm ±0,6% NLT:±0,05 mm
Snelheid van kromming Tolerantie 0,003/mm 0,003/mm 0,003/mm

Verzendvereisten voor aangepast ontwerp

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-003

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-003 138*190,5*0,635mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,38 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-004

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-004 114,3*114,3*0,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-005

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-005 120*120*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-006

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-006 16*10*2,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-007

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-007 18,5*12*0,635 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-008

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-008 26*10*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-009

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-009 φ150*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,5 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-010

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-010 27*14,8*0,8 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Subtrate AT-AIN-ZT-011

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-011 28*13*0,254 mm ±0,1 mm ±0,05 mm0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-012

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-012 30*12*0,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-013

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-01330*28*2,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-014

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-014 32,1*17,8*0,38 ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-015

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-015 φ200*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,75 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Subatrate AT-AIN-ZT-016

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-016 35*21*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-017

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-017 37*26,5*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-018

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-018 42,4*42,4*0,64 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-019

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-019 40*12*0,635 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-020

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-020 40*40*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-021

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-021 40*40*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-022

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-022 19*14*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-023

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-023 42,4*42,4*0,64 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-024

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-024 44,5*25,5*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-025

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-025 44*3,9*1,2 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-026

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-026 46*20*1,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-027

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-027 φ300*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 1,0 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-028

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-028 48,5*29,6*1,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-029

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-029 28*20,5*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-030

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-030 50*20*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-031

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-031 50*40*0,635 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-032

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-032 52*30,3*1,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-033

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-033 58*40*1,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-034

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-034 20*14*0,635 mm ±0,1 mm±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-035

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-035 22*17*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-036

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-036 80*51*0,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-037

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-037 70,2*51*1,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-038

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-038 71*24*0,6 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-039

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-039 72*32*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-040

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-040 72*42*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-041

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-041 76,2*14,22*1,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-042

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-042 80*51*0,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-043

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-043 24*18,5*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-044

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-044 25*20*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-045

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-045 105*15*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-046

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-046 28*22*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-047

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-047 112*40*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-048

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-048 112*60*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-049

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-049 116,4*71,4*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-050

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-050 120*80*0,385mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-051

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-051 124*23*0,6 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,381 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-052

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-052 φ25*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-053

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-053 130*110*1,0 mm ±0,1 mm±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-054

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-054 146,8*130,4*2,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,38 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-055

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-055 150*50*2,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,5 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-056

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-056 φ12*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm - 3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-057

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-057 φ22,7*0,635 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-058

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-058 φ25*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-059

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-059 φ40*1,0 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-060

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-060 φ66*1,5 mm ±0,1 mm ±0,05 mm 0,25 mm-3,0 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Drawing of AlN Substrate AT-AIN-ZT-061

Artikelnr. L × B × Dikte
(mm)		 Tolerantie van lengte en breedte
(mm)		 Tolerantie van dikte
(mm)		 Diktebereik
(mm)		 Oppervlakteruwheid
(μm)		 Thermische geleidbaarheid
(25â, W/m.k)		 Buigsterkte
(MPa)
AT-AIN-ZT-061 198*158*10mm ±0,1 mm ±0,05 mm 5 mm-20 mm Ra0,2-0,6 ï¼170 ï¼420

Technische gegevens van aluminium nitridematerialen

Si3N4-type ALN-170 ALN-200
 ALN-230
Dichtheid (g/cm3) 3,3 3,28 3,25
Buigsterkte (MPa) 450 400 350
Jonge modulus (GPa) 320 / /
Hardheid (Hv) 1100 1100
 1100
Breektaaiheid (MPa*m1/2) 3 2,6 2,4
Maximale werktemperatuur (â) 1100 1100
 1100
Thermische geleidbaarheid (W/m*K) 180 200
 230
Thermische uitzettingscoëfficiënt (/â) 4*10-6 4*10-6
 4*10-6
Diëlektrische constante (bij 1 MHz) 9 8,7
 8,5
Doorslagspanning (kV/mm) >15 >15
 >15

*Deze grafiek illustreert de standaardkenmerken van de aluminiumnitridematerialen die gewoonlijk worden gebruikt bij de productie van onze AlN-producten en -onderdelen. Houd er rekening mee dat de kenmerken van op maat gemaakte aluminiumnitrideproducten en -onderdelen kunnen variëren, afhankelijk van de specifieke processen die daarbij betrokken zijn. Gedetailleerde parameters worden bepaald door het type en de samenstelling van het stabilisatiemiddel.

Gebruiksinstructies

1. Botsingen en stoten tijdens het gebruik moeten bedoeld zijn om schade te voorkomen.
2. De werktemperatuur van het keramische substraat van aluminiumnitride moet strikt worden gecontroleerd, langdurig werken bij te hoge temperaturen moet worden vermeden.
3. Keramisch substraat van aluminiumnitride heeft een goede corrosieweerstand tegen zuren, alkali, zout en andere chemicaliën, maar contact met sterk zuur, vooral waterstoffluoride, moet worden vermeden.
4. Het oppervlak van een keramisch substraat van aluminiumnitride is gemakkelijk vervuild met stof en vuil, wat de prestaties en levensduur kan beïnvloeden. Daarom moet het tijdens gebruik regelmatig worden gereinigd om het oppervlak schoon en glanzend te houden.

Waardevolle informatie

AlN Substrate Packing

AlN-substraat Verpakking

Aluminiumnitridesubstraten worden zorgvuldig verpakt in geschikte containers om mogelijke schade te voorkomen.

Maatwerk voordelen
Maatwerk voordelen

1. Analyseer, afhankelijk van uw toepassingsscenario, de behoeften, kies het juiste materiaal en verwerkingsplan.

2. Professioneel team, snelle reactie, kan binnen 24 uur na bevestiging van de vraag oplossingen en offertes bieden.

3. Flexibel mechanisme voor zakelijke samenwerking, ondersteunt ten minste één stuk kwantiteitsaanpassing.

4. Lever snel monsters en testrapporten om te bevestigen dat het product aan uw behoeften voldoet.

5. Geef suggesties voor productgebruik en onderhoud om uw gebruikskosten te verlagen.

Vraag een gratis offerte aan
Gerelateerde blog
Chemisch-mechanisch polijsten van AlN-substraat: de belangrijkste manier om microscheurtjes en ondergrondse schade te overwinnen
Op het gebied van micro-elektronische verpakkingen wordt aluminiumnitride-keramiek geleidelijk het voorkeursmateriaal voor hoogwaardige chipskoelsubstraten vanwege hun uitstekende thermische geleidbaarheid, mechanische sterkte en elektrische eigenschappen. De hoge hardheid en hoge brosheid ervan kunnen tijdens de verwerking echter gemakkelijk microscheurtjes aan het oppervlak en beschadigingen ond...
Lees meer
Onderzoek naar de thermische geleidbaarheid van aluminiumnitridesubstraat en analyse van de invloed van zuurstofverontreiniging
Lange tijd hebben de meeste substraatmaterialen van hybride geïntegreerde schakelingen met hoog vermogen Al2O3- en BeO-keramiek gebruikt, maar de thermische geleidbaarheid van het Al2O3-substraat is laag en de thermische uitzettingscoëfficiënt komt niet goed overeen met die van Si. Hoewel de uitgebreide prestaties van BeO uitstekend zijn, beperken de hoge productiekosten en de zeer giftige tekortk...
Lees meer
Evolutie van keramische substraatmaterialen: doorbraken van aluminiumoxide tot aluminiumnitride en siliciumnitride
In de huidige snel veranderende elektronica-industrie, waarbij keramische substraatmaterialen een belangrijke basis vormen voor de ondersteuning van hoogwaardige elektronische apparaten, zijn de prestaties en kenmerken ervan rechtstreeks van invloed op de algehele prestaties en betrouwbaarheid van elektronische producten. Van het vroege aluminiumoxide-keramiek tot het latere aluminiumnitride, sili...
Lees meer
De toepasbaarheid van aluminiumnitridesubstraat als verpakkingsmateriaal voor het verbeteren van de warmteafvoer in elektrische apparaten
Met de snelle ontwikkeling van elektronische technologie worden de alomvattende prestaties van elektronische chips met de dag verbeterd, maar de totale omvang neemt af. Deze trend brengt aanzienlijke prestatieverbeteringen met zich mee, maar brengt ook een serieuze uitdaging met zich mee: een dramatische toename van de warmtestroom. Voor elektronische apparaten kan zelfs een kleine temperatuurstij...
Lees meer
Verbetering van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat
Op het gebied van geavanceerde keramische materialen heeft siliciumnitride (Si3N4) veel aandacht getrokken vanwege zijn uitstekende mechanische sterkte, chemische stabiliteit en hoge temperatuureigenschappen. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride-keramiek is echter, als een van de sleutelfactoren die de brede toepassing ervan beïnvloeden, een belangrijk onderwerp in materiaalwetenschapp...
Lees meer
Onderzoek naar het roostertrillingsmechanisme en de sinterassistentstrategie van siliciumnitridesubstraten
In geavanceerde technologieën zoals hoogwaardige elektronische verpakkingen, ruimtevaart en energieconversie staan ​​siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen hoog aangeschreven vanwege hun uitstekende mechanische eigenschappen, chemische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid. De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride, als een van de belangrijkste factoren die de brede toepassing ...
Lees meer
Optimalisatie van de thermische geleidbaarheid van siliciumnitridesubstraat
Bij het onderzoeken van siliciumnitride (Si3N4) substraat materialen als kern van een hoogwaardige oplossing voor thermisch beheer, is ons begrip van hun warmteoverdrachtsmechanismen van cruciaal belang. Het is bekend dat het belangrijkste warmteoverdrachtsmechanisme van siliciumnitride berust op roostervibratie, een proces dat warmte overdraagt ​​via gekwantiseerde hete ladingsdragers die fononen...
Lees meer
Toepassingspotentieel van siliciumnitridesubstraat in het warmtedissipatieveld van halfgeleiderapparaten
Nadat we het intelligente informatietijdperk zijn binnengegaan, hebben halfgeleiderapparaten ons leven snel in beslag genomen. Omdat de door het werkstuk gegenereerde warmte een sleutelfactor is die het falen van halfgeleiderapparaten veroorzaakt, is het, om veel problemen veroorzaakt door defecten aan het apparaat te voorkomen en de effectieve en veilige werking ervan op lange termijn te garander...
Lees meer
Optimaliseer sinteradditieven om de prestaties van AlN-substraat te verbeteren
In praktische toepassingen moeten aluminiumnitridesubstraten, naast een hoge thermische geleidbaarheid en hoge elektrische isolatie-eigenschappen, op veel gebieden ook een hoge buigsterkte hebben. Momenteel is de driepuntsbuigsterkte van aluminiumnitride dat op de markt in omloop is gewoonlijk 400 ~ 500 MPa, wat de promotie en toepassing van keramische substraten van aluminiumnitride ernstig beper...
Lees meer
Fabricagetechnologie van dikke-filmweerstanden op AlN-substraat
Met de voortdurende vooruitgang van de micro-elektronische verpakkingstechnologie zijn de kracht en de integratie van elektronische componenten aanzienlijk toegenomen, wat heeft geleid tot een aanzienlijke toename van de warmteopwekking per volume-eenheid, waardoor strengere eisen zijn gesteld aan de efficiëntie van de warmteafvoer (dat wil zeggen , de warmtegeleidingsprestaties) van de nieuwe gen...
Lees meer

Gerelateerde producten

CDIP Ceramic Dual In-Line Housing
CDIP keramische dubbele in-line behuizing AlN HTCC-substraat
CFP ceramic flat housing
CFP keramische platte behuizing AlN HTCC-substraat
CQFP ceramic four-sided flat housing
CQFP keramische vierzijdige platte behuizing AlN HTCC-substraat
Aluminum nitride HTCC substrate
Aluminiumnitride HTCC-substraat AlN HTCC-substraat
CQFN ceramic four-sided flat pinless housing
CQFN keramische vierzijdige platte pinloze behuizing AlN HTCC-substraat
CSOP ceramic small form factor housing
CSOP keramische behuizing met kleine vormfactor AlN HTCC-substraat
Optical Communication Modules AlN Substrate
Aluminiumnitridesubstraat voor optische communicatiemodules
UVLED VCSEL support
UVLED VCSEL Ondersteuning AlN HTCC-substraat

Veelgestelde vragen

Hoewel onze primaire focus ligt op geavanceerde keramische materialen zoals aluminiumoxide, zirkoniumoxide, siliciumcarbide, siliciumnitride, aluminiumnitride en kwartskeramiek, onderzoeken we altijd nieuwe materialen en technologieën. Als u een specifieke materiaalbehoefte heeft, neem dan contact met ons op. Wij zullen ons best doen om aan uw behoeften te voldoen of geschikte partners te vinden.

Absoluut. Ons technisch team beschikt over diepgaande kennis van keramische materialen en uitgebreide ervaring in productontwerp. Wij geven u graag materiaalkeuzeadvies en productontwerpondersteuning om optimale prestaties van uw producten te garanderen.

Wij hanteren geen vaste minimale bestelwaarde. We richten ons altijd op het voldoen aan de behoeften van onze klanten en streven ernaar om hoogwaardige service en producten te leveren, ongeacht de ordergrootte.

Naast keramische producten bieden wij ook een reeks aanvullende diensten aan, waaronder maar niet beperkt tot: op maat gemaakte keramische verwerkingsdiensten op basis van uw behoeften, waarbij gebruik wordt gemaakt van door u zelf geproduceerde plano's of halfafgewerkte plano's; Als u geïnteresseerd bent in uitbestede keramische verpakkings- en metallisatiediensten, neem dan contact met ons op voor verdere discussie. We streven er altijd naar om u een totaaloplossing te bieden die aan uw verschillende behoeften voldoet.

Ja, dat doen we. Waar ter wereld u zich ook bevindt, wij kunnen de veilige en tijdige levering van uw bestelling garanderen.

Alle FAQ\'s

Stuur uw aanvraag

Onderwerp:
Aluminiumnitride Keramisch substraat AlN-substraat
Uploaden
* File ONLY PDF/JPG./PNG. Available.
Submit Now
Over mijn merk
Producten
Bronnen
Populaire tags

Copyright © 2024 HUNAN ATCERA CO. Ltd. Alle rechten voorbehouden.

XML | Privacybeleid IPv6

Neem contact met ons op
Neem contact met ons op
Vul dan onderstaand formulier zo goed mogelijk in. En maak je geen zorgen over de details.
Indienen
Looking for Video?
Neem contact met ons op #
19311583352

Kantooruren

  • Maandag tot en met vrijdag: 9:00 - 12:00 uur, 14:00 - 17:30 uur

Houd er rekening mee dat onze kantooruren gebaseerd zijn op Beijing Time, wat acht uur voorloopt op Greenwich Mean Time (GMT). Wij stellen uw begrip en medewerking bij het dienovereenkomstig plannen van uw vragen en vergaderingen op prijs. Voor dringende zaken of vragen buiten onze reguliere openingstijden kunt u contact met ons opnemen via e-mail. Wij nemen dan zo snel mogelijk contact met u op. Bedankt voor uw zaken en we kijken ernaar uit u van dienst te zijn.

Thuis

Producten

whatsApp

contact